品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC032NE2LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€78W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@12V
连续漏极电流:22A€84A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G2002A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:733pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6H848NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€73W
阈值电压:4V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@40V
连续漏极电流:13A€57A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD10950E_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:785pF@25V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:162mΩ@12A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD02N80C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3.9V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:2.7Ω@1.2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR120TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:360pF@25V
连续漏极电流:7.7A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@4.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STU12N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:管件
输入电容:538pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@4.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD120PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:散装
输入电容:360pF@25V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@780mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD10950E_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:785pF@25V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:162mΩ@12A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3404LQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:720mW
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:498pF@15V
连续漏极电流:5.8A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":2706}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS5D3N04CTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.6W€50W
阈值电压:3.5V@40µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@25V
连续漏极电流:19A€71A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@35A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD80460E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:65.2W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:560pF@50V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:44.7mΩ@8.3A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU45N10-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:72W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1135pF@50V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR120TRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:360pF@25V
连续漏极电流:7.7A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@4.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF520PBF-BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:管件
输入电容:360pF@25V
连续漏极电流:9.2A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@5.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD80460E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:65.2W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:560pF@50V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:44.7mΩ@8.3A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS92DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.1W€65.8W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@125V
连续漏极电流:3.4A€12.3A
类型:N沟道
导通电阻:173mΩ@3.6A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6H848NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€73W
阈值电压:4V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@40V
连续漏极电流:13A€57A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC032NE2LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€78W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@12V
连续漏极电流:22A€84A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M11-40HX
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:3.6V@1mA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1022pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC026NE2LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€29W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@12V
连续漏极电流:24A€82A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":2000}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SFT1446-H
工作温度:150℃
功率:1W€23W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:散装
输入电容:750pF@20V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:51mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86104
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€73W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:923pF@50V
连续漏极电流:7A€16A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCAC38N10YHE3-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@50V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR120PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:管件
输入电容:360pF@25V
连续漏极电流:7.7A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@4.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK30E06N1,S1X
工作温度:150℃
功率:53W
阈值电压:4V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1050pF@30V
连续漏极电流:43A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC032NE2LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€78W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@12V
连续漏极电流:22A€84A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR120TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:360pF@25V
连续漏极电流:7.7A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@4.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK5A65D(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:管件
输入电容:800pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.43Ω@2.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF520PBF-BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:管件
输入电容:360pF@25V
连续漏极电流:9.2A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@5.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: