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    栅极电荷: 16nC@10V
    工作温度: -55℃~175℃
    包装方式: 卷带(TR)
    当前匹配商品:200+
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    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS6H848NT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS6H848NT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS6H848NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€73W

    阈值电压:4V@70µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1180pF@40V

    连续漏极电流:13A€57A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD10950E_GE3 起订2000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD10950E_GE3 起订2000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD10950E_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@25V

    连续漏极电流:11.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:162mΩ@12A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD10950E_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD10950E_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD10950E_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@25V

    连续漏极电流:11.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:162mΩ@12A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS5D3N04CTWG 起订798个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS5D3N04CTWG 起订798个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":2706}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS5D3N04CTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.6W€50W

    阈值电压:3.5V@40µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@25V

    连续漏极电流:19A€71A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.3mΩ@35A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD80460E-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD80460E-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD80460E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65.2W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:560pF@50V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:44.7mΩ@8.3A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD80460E-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD80460E-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD80460E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65.2W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:560pF@50V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:44.7mΩ@8.3A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS6H848NT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS6H848NT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS6H848NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€73W

    阈值电压:4V@70µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1180pF@40V

    连续漏极电流:13A€57A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M11-40HX 起订5个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M11-40HX 起订5个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7M11-40HX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:50W

    阈值电压:3.6V@1mA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1022pF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMYS5D3N04CTWG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMYS5D3N04CTWG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMYS5D3N04CTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.6W€50W

    阈值电压:3.5V@40µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@25V

    连续漏极电流:19A€71A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.3mΩ@35A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS5D3N04CTWG 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS5D3N04CTWG 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS5D3N04CTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.6W€50W

    阈值电压:3.5V@40µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@25V

    连续漏极电流:19A€71A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.3mΩ@35A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS005N04CTAG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS005N04CTAG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS005N04CTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€50W

    阈值电压:3.5V@40µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@25V

    连续漏极电流:17A€69A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.6mΩ@35A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD8NF25 起订2500个装
    ST Mosfet场效应管 STD8NF25 起订2500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD8NF25

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:72W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:420mΩ@8A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C466NLT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C466NLT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C466NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.5W€37W

    阈值电压:2.2V@30µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:860pF@25V

    连续漏极电流:16A€52A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS005N04CTAG 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS005N04CTAG 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS005N04CTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€50W

    阈值电压:3.5V@40µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@25V

    连续漏极电流:17A€69A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.6mΩ@35A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD04P10PLGBTMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD04P10PLGBTMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD04P10PLGBTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:38W

    阈值电压:2V@380µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:372pF@25V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:850mΩ@3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD04P10PLGBTMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD04P10PLGBTMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD04P10PLGBTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:38W

    阈值电压:2V@380µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:372pF@25V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:850mΩ@3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD04P10PLGBTMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD04P10PLGBTMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD04P10PLGBTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:38W

    阈值电压:2V@380µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:372pF@25V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:850mΩ@3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCU15N10A-TP 起订10个装
    MCC Mosfet场效应管 MCU15N10A-TP 起订10个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCU15N10A-TP

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:34W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@50V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN7R0-30YLC,115 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN7R0-30YLC,115 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN7R0-30YLC,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:1.95V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1057pF@15V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS005N04CTAG 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS005N04CTAG 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS005N04CTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€50W

    阈值电压:3.5V@40µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@25V

    连续漏极电流:17A€69A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.6mΩ@35A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD10950E_GE3 起订5000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD10950E_GE3 起订5000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD10950E_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@25V

    连续漏极电流:11.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:162mΩ@12A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN7R0-30YLC,115 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN7R0-30YLC,115 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN7R0-30YLC,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:1.95V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1057pF@15V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C466NLT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C466NLT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C466NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.5W€37W

    阈值电压:2.2V@30µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:860pF@25V

    连续漏极电流:16A€52A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS6H848NT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS6H848NT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS6H848NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€73W

    阈值电压:4V@70µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1180pF@40V

    连续漏极电流:13A€57A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTYS025P04M8LTWG 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTYS025P04M8LTWG 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTYS025P04M8LTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€44.1W

    阈值电压:3V@255µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1080pF@25V

    连续漏极电流:9.4A€32A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC058N04NM5ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC058N04NM5ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISC058N04NM5ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€42W

    阈值电压:3.4V@13µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@20V

    连续漏极电流:17A€63A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@31A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD10950E_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD10950E_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD10950E_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@25V

    连续漏极电流:11.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:162mΩ@12A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD10950E_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD10950E_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD10950E_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@25V

    连续漏极电流:11.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:162mΩ@12A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS005N04CTAG 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS005N04CTAG 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS005N04CTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€50W

    阈值电压:3.5V@40µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@25V

    连续漏极电流:17A€69A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.6mΩ@35A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC058N04NM5ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC058N04NM5ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISC058N04NM5ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€42W

    阈值电压:3.4V@13µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@20V

    连续漏极电流:17A€63A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@31A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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