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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH7R204PL，LQ
工作温度：175℃
功率：69W
阈值电压：2.4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2040pF@20V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@15A，4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN7R504PL，LQ
工作温度：175℃
功率：610mW€61W
阈值电压：2.4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2040pF@20V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@19A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN7R504PL，LQ
工作温度：175℃
功率：610mW€61W
阈值电压：2.4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2040pF@20V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@19A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN6R303NC，LQ
工作温度：150℃
功率：700mW€19W
阈值电压：2.3V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7A65D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：980mΩ@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK9A60D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：830mΩ@4.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7A65D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：980mΩ@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1200APL，L1Q
功率：104W€630mW
阈值电压：2.5V@300μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.855nF@50V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1200APL，L1Q
功率：104W€630mW
阈值电压：2.5V@300μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.855nF@50V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH7R204PL，LQ
工作温度：175℃
功率：69W
阈值电压：2.4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2040pF@20V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@15A，4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1200APL，L1Q
功率：104W€630mW
阈值电压：2.5V@300μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.855nF@50V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1200APL，L1Q
功率：104W€630mW
阈值电压：2.5V@300μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.855nF@50V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN6R303NC，LQ
工作温度：150℃
功率：700mW€19W
阈值电压：2.3V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1200APL，L1Q
功率：104W€630mW
阈值电压：2.5V@300μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.855nF@50V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK9A60D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：830mΩ@4.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK9A60D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：830mΩ@4.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1200APL，L1Q
功率：104W€630mW
阈值电压：2.5V@300μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.855nF@50V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH7R204PL，LQ
工作温度：175℃
功率：69W
阈值电压：2.4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2040pF@20V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@15A，4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN7R504PL，LQ
工作温度：175℃
功率：610mW€61W
阈值电压：2.4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2040pF@20V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@19A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH7R204PL，LQ
工作温度：175℃
功率：69W
阈值电压：2.4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2040pF@20V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@15A，4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN7R504PL，LQ
工作温度：175℃
功率：610mW€61W
阈值电压：2.4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2040pF@20V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@19A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK1K0A60F，S4X
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@770µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：890pF@300V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN7R504PL，LQ
工作温度：175℃
功率：610mW€61W
阈值电压：2.4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2040pF@20V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@19A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN7R504PL，LQ
工作温度：175℃
功率：610mW€61W
阈值电压：2.4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2040pF@20V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@19A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH7R204PL，LQ
工作温度：175℃
功率：69W
阈值电压：2.4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2040pF@20V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@15A，4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK1K0A60F，S4X
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@770µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：890pF@300V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH7R204PL，LQ
工作温度：175℃
功率：69W
阈值电压：2.4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2040pF@20V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@15A，4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN6R303NC，LQ
工作温度：150℃
功率：700mW€19W
阈值电压：2.3V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN6R303NC，LQ
工作温度：150℃
功率：700mW€19W
阈值电压：2.3V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7A65D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：980mΩ@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
