品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT250N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:4.5V@1.2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1010pF@400V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF830ASTRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@3A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R180C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:68W
阈值电压:4V@260µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1080pF@400V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@5.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6414A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€31W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1380pF@15V
连续漏极电流:13A€30A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6509ENJTL
工作温度:150℃
功率:94W
阈值电压:4V@230µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:585mΩ@2.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI9435BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:42mΩ@5.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB260N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:4.5V@1.2mA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1010pF@400V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:260mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6414AL
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€31W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1380pF@15V
连续漏极电流:13A€30A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF820PBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:360pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD33CN10NGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:58W
阈值电压:4V@29µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1570pF@50V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@27A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSD175N10TL
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@25V
连续漏极电流:17.5A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@8.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISZ0804NLSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€60W
阈值电压:2.3V@28µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@50V
连续漏极电流:11A€58A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":22125}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4906NA-35G
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1932pF@15V
连续漏极电流:10.3A€54A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GKI07301
工作温度:150℃
功率:3.1W€46W
阈值电压:2.5V@350µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1580pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:23.2mΩ@12.4A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTPF250N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:29W
阈值电压:4V@1.1mA
栅极电荷:24nC@10V
输入电容:1.261nF@400V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:201mΩ@10V,6.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF830ASPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€74W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:620pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@3A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G07P04S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1750pF@20V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF820PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:360pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ097N04LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€35W
阈值电压:2V@14µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@20V
连续漏极电流:12A€40A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF830ASTRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@3A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL60R185C7AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:77W
阈值电压:4V@260µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@400V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:185mΩ@5.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUZ40N10S5N130ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.8V@27µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1525pF@50V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA530PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1070pF@15V
连续漏极电流:6.8A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@6.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH7R204PL,LQ
工作温度:175℃
功率:69W
阈值电压:2.4V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2040pF@20V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@15A,4.5V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC610PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
输入电容:1005pF@15V
连续漏极电流:4.9A
类型:P沟道
导通电阻:42mΩ@4.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":5933,"19+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7E8R3-40E,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:96W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1730pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF820PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:360pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA80R450P7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:29W
阈值电压:3.5V@220µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:770pF@500V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@4.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E110BNTR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:11.1mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC093N04LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€35W
阈值电压:2V@14µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@20V
连续漏极电流:13A€49A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: