品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS447DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:181nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5590pF@10V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:7.1mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS447DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:181nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5590pF@10V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:7.1mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS447DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:181nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5590pF@10V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:7.1mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS447DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:181nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5590pF@10V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:7.1mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS447DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:181nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5590pF@10V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:7.1mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS447DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:181nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5590pF@10V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:7.1mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R5-50YLHX
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:181nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11143pF@25V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:1.75mΩ@25A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R5-50YLHX
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:181nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11143pF@25V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:1.75mΩ@25A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS447DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:181nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5590pF@10V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:7.1mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C404NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€167W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:181nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12168pF@25V
连续漏极电流:52A€370A
类型:N沟道
导通电阻:0.75mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C404NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€200W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:181nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12168pF@25V
连续漏极电流:49A€352A
类型:N沟道
导通电阻:0.75mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R5-50YLHX
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:181nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11143pF@25V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:1.75mΩ@25A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R5-50YLHX
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:181nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11143pF@25V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:1.75mΩ@25A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS447DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:181nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5590pF@10V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:7.1mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS447DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:181nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5590pF@10V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:7.1mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS447DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:181nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5590pF@10V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:7.1mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R5-50YLHX
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:181nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11143pF@25V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:1.75mΩ@25A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C404NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€200W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:181nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12168pF@25V
连续漏极电流:49A€352A
类型:N沟道
导通电阻:0.75mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS447DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:181nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5590pF@10V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:7.1mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS447DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:181nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5590pF@10V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:7.1mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C404NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€167W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:181nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12168pF@25V
连续漏极电流:52A€370A
类型:N沟道
导通电阻:0.75mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS447DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:181nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5590pF@10V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:7.1mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS447DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:181nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5590pF@10V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:7.1mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C404NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€167W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:181nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12168pF@25V
连续漏极电流:52A€370A
类型:N沟道
导通电阻:0.75mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C404NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€167W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:181nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12168pF@25V
连续漏极电流:52A€370A
类型:N沟道
导通电阻:0.75mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS447DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:181nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5590pF@10V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:7.1mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R5-50YLHX
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:181nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11143pF@25V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:1.75mΩ@25A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C404NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€200W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:181nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12168pF@25V
连续漏极电流:49A€352A
类型:N沟道
导通电阻:0.75mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C404NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€200W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:181nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12168pF@25V
连续漏极电流:49A€352A
类型:N沟道
导通电阻:0.75mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C404NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€200W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:181nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12168pF@25V
连续漏极电流:49A€352A
类型:N沟道
导通电阻:0.75mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: