采购热线 400-661-9010
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXGH6N170
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：24A
关断延迟时间：250ns
关断损耗：1.5mJ
开启延迟时间：40ns
集电极截止电流(Ices)：1700V
栅极电荷：20nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：4V@15V，6A
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXGH6N170
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：24A
关断延迟时间：250ns
关断损耗：1.5mJ
开启延迟时间：40ns
集电极截止电流(Ices)：1700V
栅极电荷：20nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：4V@15V，6A
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7M4R3-40HX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：95A
类型：MOSFET
导通电阻：4.3mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHFU9220-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：42W
阈值电压：4V
栅极电荷：20nC
连续漏极电流：3.6A
类型：MOSFET
导通电阻：1.5Ω
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGB3236-F085C
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
关断延迟时间：5.4µs
反向恢复时间：1.7µs
开启延迟时间：0.65µs
集电极截止电流(Ices)：360V
栅极电荷：20nC
集电极电流(Ic)：1.4V@4V，6A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGB3236-F085C
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
关断延迟时间：5.4µs
反向恢复时间：1.7µs
开启延迟时间：0.65µs
集电极截止电流(Ices)：360V
栅极电荷：20nC
集电极电流(Ic)：1.4V@4V，6A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7M4R3-40HX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：95A
类型：MOSFET
导通电阻：4.3mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJ128LDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：22.3W
阈值电压：2.5V
栅极电荷：20nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：25.5A
类型：MOSFET
导通电阻：15.6mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7M4R3-40HX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：95A
类型：MOSFET
导通电阻：4.3mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ES35N06A
功率：25W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：20nC
输入电容：1.15nF
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：50pF
导通电阻：26mΩ@10V，20A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ESN6586
功率：41W
阈值电压：1.35V@250μA
栅极电荷：20nC
输入电容：1.15nF
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
反向传输电容：105pF
导通电阻：6.5mΩ@10V，20A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ESN6586
功率：41W
阈值电压：1.35V@250μA
栅极电荷：20nC
输入电容：1.15nF
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
反向传输电容：105pF
导通电阻：6.5mΩ@10V，20A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"18+"：800}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGB3056-F085
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
关断延迟时间：8.2µs
反向恢复时间：2.4µs
开启延迟时间：1.3µs
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：20nC
集电极电流(Ic)：1.55V@5V，8A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGB3236-F085
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
关断延迟时间：5.4µs
集电极截止电流(Ices)：360V
栅极电荷：20nC
集电极电流(Ic)：1.4V@4V，6A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGB3236-F085
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
关断延迟时间：5.4µs
集电极截止电流(Ices)：360V
栅极电荷：20nC
集电极电流(Ic)：1.4V@4V，6A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGB3236-F085
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
关断延迟时间：5.4µs
集电极截止电流(Ices)：360V
栅极电荷：20nC
集电极电流(Ic)：1.4V@4V，6A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"18+"：800}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGB3056-F085
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
关断延迟时间：8.2µs
反向恢复时间：2.4µs
开启延迟时间：1.3µs
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：20nC
集电极电流(Ic)：1.55V@5V，8A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGB3236-F085
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
关断延迟时间：5.4µs
集电极截止电流(Ices)：360V
栅极电荷：20nC
集电极电流(Ic)：1.4V@4V，6A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXGH6N170
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：24A
关断延迟时间：250ns
关断损耗：1.5mJ
开启延迟时间：40ns
集电极截止电流(Ices)：1700V
栅极电荷：20nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：4V@15V，6A
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGB3236-F085C
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
关断延迟时间：5.4µs
反向恢复时间：1.7µs
开启延迟时间：0.65µs
集电极截止电流(Ices)：360V
栅极电荷：20nC
集电极电流(Ic)：1.4V@4V，6A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGB3236-F085C
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
关断延迟时间：5.4µs
反向恢复时间：1.7µs
开启延迟时间：0.65µs
集电极截止电流(Ices)：360V
栅极电荷：20nC
集电极电流(Ic)：1.4V@4V，6A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHFU9220-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：42W
阈值电压：4V
栅极电荷：20nC
连续漏极电流：3.6A
类型：MOSFET
导通电阻：1.5Ω
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C02NWFTAG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.2W
阈值电压：2.2V
栅极电荷：20nC
连续漏极电流：162A
类型：MOSFET
导通电阻：2.25mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK5A80E，S4X
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：5A
类型：MOSFET
导通电阻：2.4Ω
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJ128LDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：22.3W
阈值电压：2.5V
栅极电荷：20nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：25.5A
类型：MOSFET
导通电阻：15.6mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJ128LDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：22.3W
阈值电压：2.5V
栅极电荷：20nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：25.5A
类型：MOSFET
导通电阻：15.6mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7M4R3-40HX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：95A
类型：MOSFET
导通电阻：4.3mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHFU9220-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：42W
阈值电压：4V
栅极电荷：20nC
连续漏极电流：3.6A
类型：MOSFET
导通电阻：1.5Ω
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGB3056-F085
包装方式：卷带（TR）
关断延迟时间：8.2µs
反向恢复时间：2.4µs
开启延迟时间：1.3µs
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：20nC
集电极电流(Ic)：1.55V@5V，8A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGB3236-F085C
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
关断延迟时间：5.4µs
反向恢复时间：1.7µs
开启延迟时间：0.65µs
集电极截止电流(Ices)：360V
栅极电荷：20nC
集电极电流(Ic)：1.4V@4V，6A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
