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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ2416_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1177pF@10V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ2416_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1177pF@10V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC642P
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：925pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3416
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.5A
类型：N-Channel
导通电阻：22mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC642P
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：925pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1163}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC642P-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3000，"23+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC642P
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：925pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3416
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC637AN
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1125pF@10V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3000，"23+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC642P
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：925pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC637AN
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1125pF@10V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3416
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3416
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC642P
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：925pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC637AN
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1125pF@10V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3416
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.5A
类型：N-Channel
导通电阻：22mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3416
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3416
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC637AN
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1125pF@10V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC642P
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：925pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC642P
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：925pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4N01R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2014LHAB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N-Channel
导通电阻：13mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：1668，"10+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4N01R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC637AN
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1125pF@10V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2014LHAB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N-Channel
导通电阻：13mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC637AN
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1125pF@10V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3416
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.5A
类型：N-Channel
导通电阻：22mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3416
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.5A
类型：N-Channel
导通电阻：22mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3416
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
