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    栅极电荷: 48nC@10V
    包装方式: 管件
    工作温度: -55℃~150℃
    类型: N沟道
    行业应用: 汽车
    当前匹配商品:40+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF12N50C-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF12N50C-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHF12N50C-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:36W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1375pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:555mΩ@4A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STFU10NK60Z
    ST Mosfet场效应管 STFU10NK60Z

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STFU10NK60Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1370pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    ST Mosfet场效应管 STFU10NK60Z
    ST Mosfet场效应管 STFU10NK60Z

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STFU10NK60Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1370pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP6N65E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP6N65E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP6N65E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:820pF@100V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP6N65E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP6N65E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP6N65E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:820pF@100V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    ST Mosfet场效应管 STFU10NK60Z
    ST Mosfet场效应管 STFU10NK60Z

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STFU10NK60Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1370pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDPF33N25T
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDPF33N25T

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF33N25T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:37W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2135pF@25V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:94mΩ@16.5A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIB5N65APBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIB5N65APBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFIB5N65APBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1417pF@25V

    连续漏极电流:5.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:930mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD6N65E-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD6N65E-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD6N65E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:820pF@100V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDP33N25
    onsemi Mosfet场效应管 FDP33N25

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP33N25

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:235W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2135pF@25V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:94mΩ@16.5A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDP33N25
    onsemi Mosfet场效应管 FDP33N25

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP33N25

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:235W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2135pF@25V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:94mΩ@16.5A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    ST Mosfet场效应管 STFU10NK60Z
    ST Mosfet场效应管 STFU10NK60Z

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STFU10NK60Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1370pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFB9N65APBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFB9N65APBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFB9N65APBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:167W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1417pF@25V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:930mΩ@5.1A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP12N50C-E3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP12N50C-E3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP12N50C-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1375pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:555mΩ@4A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDPF33N25T
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDPF33N25T

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF33N25T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:37W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2135pF@25V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:94mΩ@16.5A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP33N25
    onsemi Mosfet场效应管 FDP33N25

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP33N25

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:235W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2135pF@25V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:94mΩ@16.5A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF12N50C-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF12N50C-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHF12N50C-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:36W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1375pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:555mΩ@4A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF12N50C-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF12N50C-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHF12N50C-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:36W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1375pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:555mΩ@4A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDPF33N25T
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDPF33N25T

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF33N25T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:37W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2135pF@25V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:94mΩ@16.5A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    ST Mosfet场效应管 STW22N95K5
    ST Mosfet场效应管 STW22N95K5

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW22N95K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1550pF@100V

    连续漏极电流:17.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:330mΩ@9A,10V

    漏源电压:950V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDPF33N25T
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDPF33N25T

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF33N25T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:37W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2135pF@25V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:94mΩ@16.5A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDPF33N25T
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDPF33N25T

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF33N25T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:37W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2135pF@25V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:94mΩ@16.5A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FDP33N25
    onsemi Mosfet场效应管 FDP33N25

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP33N25

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:235W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2135pF@25V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:94mΩ@16.5A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHU6N65E-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHU6N65E-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHU6N65E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:820pF@100V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDP33N25 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP33N25 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP33N25

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:235W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2135pF@25V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:94mΩ@16.5A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF12N50C-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF12N50C-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHF12N50C-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:36W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1375pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:555mΩ@4A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDP33N25 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP33N25 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP33N25

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:235W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2135pF@25V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:94mΩ@16.5A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDP33N25
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP33N25

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:235W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2135pF@25V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:94mΩ@16.5A,10V

    漏源电压:250V

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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP33N25

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:235W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2135pF@25V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:94mΩ@16.5A,10V

    漏源电压:250V

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