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    类型: N沟道
    包装方式: 卷带(TR)
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    INFINEON Mosfet场效应管 IPB055N08NF2SATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB055N08NF2SATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB055N08NF2SATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:3.8V@55µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@40V

    连续漏极电流:94A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@60A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86369
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86369

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86369

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2530pF@40V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    加购:2500
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86369
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86369

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86369

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

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    栅极电荷:54nC@10V

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    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86369
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86369

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86369

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

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    栅极电荷:54nC@10V

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    类型:N沟道

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    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ478DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ478DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJ478DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€62.5W

    阈值电压:2.6V@250µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1855pF@40V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ478DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ478DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJ478DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€62.5W

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

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    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86369
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86369

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86369

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2530pF@40V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

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    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB055N08NF2SATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB055N08NF2SATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB055N08NF2SATMA1

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    栅极电荷:54nC@10V

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    类型:N沟道

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    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86369
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86369

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86369

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

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    栅极电荷:54nC@10V

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    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

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    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86369
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86369

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86369

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

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    栅极电荷:54nC@10V

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    输入电容:2530pF@40V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

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    漏源电压:80V

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    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ478DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ478DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJ478DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€62.5W

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    类型:N沟道

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    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB055N08NF2SATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB055N08NF2SATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB055N08NF2SATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:3.8V@55µA

    栅极电荷:54nC@10V

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    连续漏极电流:94A

    类型:N沟道

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    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ478DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ478DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJ478DP-T1-GE3

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    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

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    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86369-F085
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86369-F085

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86369-F085

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    功率:150W

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    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ478DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ478DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJ478DP-T1-GE3

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    栅极电荷:54nC@10V

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    输入电容:1855pF@40V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

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    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86369-F085
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86369-F085

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86369-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

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    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2530pF@40V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@80A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86369-F085
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86369-F085

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86369-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2530pF@40V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC040N08NS5ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC040N08NS5ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC040N08NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:3.8V@67µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC040N08NS5ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC040N08NS5ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC040N08NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:3.8V@67µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC040N08NS5ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC040N08NS5ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC040N08NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:3.8V@67µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ478DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ478DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJ478DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€62.5W

    阈值电压:2.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1855pF@40V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC040N08NS5ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC040N08NS5ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC040N08NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:3.8V@67µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    加购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86369-F085
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86369-F085

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86369-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2530pF@40V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC040N08NS5ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC040N08NS5ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC040N08NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:3.8V@67µA

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    输入电容:3900pF@40V

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    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:250
    加购:5
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC040N08NS5ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC040N08NS5ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC040N08NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:3.8V@67µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:1000
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    onsemi Mosfet场效应管 FDD86369-F085
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86369-F085

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86369-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2530pF@40V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86369
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86369

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86369

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2530pF@40V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86369
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86369

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86369

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2530pF@40V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    起购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86369
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86369

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86369

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2530pF@40V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDD86369
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86369

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2530pF@40V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@80A,10V

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