品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD055N08NF2SATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€107W
阈值电压:3.8V@55µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:2500pF@40V
连续漏极电流:17A€98A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@60A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK764R0-40E,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:182W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4405pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R3-40MLHX
工作温度:-55℃~175℃
功率:101W
阈值电压:2.15V@1mA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3794pF@20V
连续漏极电流:118A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB055N08NF2SATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:3.8V@55µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@40V
连续漏极电流:94A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@60A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP055N08NF2SAKMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€107W
阈值电压:3.8V@55µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2500pF@40V
连续漏极电流:18.5A€99A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@60A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD055N08NF2SATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€107W
阈值电压:3.8V@55µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:2500pF@40V
连续漏极电流:17A€98A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@60A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD409
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€60W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@30V
连续漏极电流:26A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP055N08NF2SAKMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€107W
阈值电压:3.8V@55µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2500pF@40V
连续漏极电流:18.5A€99A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@60A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86369
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2530pF@40V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7S2R5-40HJ
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3793pF@25V
连续漏极电流:140A
类型:N沟道
导通电阻:2.51mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86369
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2530pF@40V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD055N08NF2SATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€107W
阈值电压:3.8V@55µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:2500pF@40V
连续漏极电流:17A€98A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@60A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86369
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2530pF@40V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD409
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€60W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@30V
连续漏极电流:26A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86369
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2530pF@40V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB055N08NF2SATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:3.8V@55µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@40V
连续漏极电流:94A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@60A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86369
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2530pF@40V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86369
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2530pF@40V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB055N08NF2SATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:3.8V@55µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@40V
连续漏极电流:94A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@60A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD95N4F3
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1365}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP055N08NF2SAKMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€107W
阈值电压:3.8V@55µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2500pF@40V
连续漏极电流:18.5A€99A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@60A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN016-100YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:117W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2744pF@50V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:16.3mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86369-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2530pF@40V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7S2R5-40HJ
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:3.6V@1mA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3793pF@25V
连续漏极电流:140A
类型:N沟道
导通电阻:2.51mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7S2R5-40HJ
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3793pF@25V
连续漏极电流:140A
类型:N沟道
导通电阻:2.51mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86369-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2530pF@40V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD409
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€60W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@30V
连续漏极电流:26A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7S2R5-40HJ
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3793pF@25V
连续漏极电流:140A
类型:N沟道
导通电阻:2.51mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86369-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2530pF@40V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN016-100YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:117W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2744pF@50V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:16.3mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: