采购热线 400-661-9010
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17581Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€83W
阈值电压：1.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3640pF@15V
连续漏极电流：24A€123A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17581Q3AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€63W
阈值电压：1.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3640pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17581Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€83W
阈值电压：1.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3640pF@15V
连续漏极电流：24A€123A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4160DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2071pF@15V
连续漏极电流：25.4A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4160DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2071pF@15V
连续漏极电流：25.4A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB35N65DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：210W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17581Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€63W
阈值电压：1.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3640pF@15V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4160DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2071pF@15V
连续漏极电流：25.4A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB35N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：210W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH5020TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€8.3W
阈值电压：5V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2290pF@100V
连续漏极电流：5.1A
类型：N-Channel
导通电阻：55mΩ@7.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH5020TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€8.3W
阈值电压：5V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2290pF@100V
连续漏极电流：5.1A
类型：N-Channel
导通电阻：55mΩ@7.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB35N65DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：210W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJ478DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1855pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJ478DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1855pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4160DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2071pF@15V
连续漏极电流：25.4A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17581Q3AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€63W
阈值电压：1.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3640pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH5020TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€8.3W
阈值电压：5V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2290pF@100V
连续漏极电流：5.1A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@7.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJ478DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1855pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17581Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€63W
阈值电压：1.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3640pF@15V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJ478DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1855pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH5020TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€8.3W
阈值电压：5V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2290pF@100V
连续漏极电流：5.1A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@7.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH5020TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€8.3W
阈值电压：5V@150µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2290pF@100V
连续漏极电流：5.1A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@7.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17581Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€63W
阈值电压：1.7V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3640pF@15V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJ478DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1855pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17581Q3AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€63W
阈值电压：1.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3640pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH5020TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€8.3W
阈值电压：5V@150µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2290pF@100V
连续漏极电流：5.1A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@7.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB37N60DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：210W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17581Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€83W
阈值电压：1.7V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3640pF@15V
连续漏极电流：24A€123A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH5020TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€8.3W
阈值电压：5V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2290pF@100V
连续漏极电流：5.1A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@7.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4160DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2071pF@15V
连续漏极电流：25.4A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
