采购热线 400-661-9010
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT105N10T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：74W
阈值电压：1.7V
栅极电荷：54nC@10V
输入电容：1.625nF@50V
连续漏极电流：55A
类型：1个N沟道
反向传输电容：14pF@50V
导通电阻：8.5mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP15N80AEF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.128nF@100V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：350mΩ@6.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP15N80AEF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.128nF@100V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：350mΩ@6.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT20N65HF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：270W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：54nC@10V
输入电容：2.512nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：14pF@25V
导通电阻：400mΩ@10V，10A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP15N80AEF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.128nF@100V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：350mΩ@6.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP15N80AEF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.128nF@100V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：350mΩ@6.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP15N80AEF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.128nF@100V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：350mΩ@6.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP15N80AEF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.128nF@100V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：350mΩ@6.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP15N80AEF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.128nF@100V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：350mΩ@6.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT095N10K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：74W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：54nC@10V
输入电容：1.667nF@50V
连续漏极电流：55A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT095N10K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：74W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：54nC@10V
输入电容：1.667nF@50V
连续漏极电流：55A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT105N10T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：74W
阈值电压：1.7V
栅极电荷：54nC@10V
输入电容：1.625nF@50V
连续漏极电流：55A
类型：1个N沟道
反向传输电容：14pF@50V
导通电阻：8.5mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT20N65HF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：270W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：54nC@10V
输入电容：2.512nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：14pF@25V
导通电阻：400mΩ@10V，10A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT105N10T
类型：1个N沟道
反向传输电容：14pF@50V
导通电阻：8.5mΩ
连续漏极电流：55A
阈值电压：1.7V
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：1.625nF@50V
功率：74W
栅极电荷：54nC@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT105N10T
类型：1个N沟道
反向传输电容：14pF@50V
导通电阻：8.5mΩ
连续漏极电流：55A
阈值电压：1.7V
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：1.625nF@50V
功率：74W
栅极电荷：54nC@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK5R1A08QM，S4X
功率：45W
阈值电压：3.5V@700μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.98nF@40V
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.1mΩ@35A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP15N80AEF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.128nF@100V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：350mΩ@6.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT20N65HF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：270W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：54nC@10V
输入电容：2.512nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：14pF@25V
导通电阻：400mΩ@10V，10A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT20N65HF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：270W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：54nC@10V
输入电容：2.512nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：14pF@25V
导通电阻：400mΩ@10V，10A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT20N65HF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：270W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：54nC@10V
输入电容：2.512nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：14pF@25V
导通电阻：400mΩ@10V，10A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT20N65HF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：270W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：54nC@10V
输入电容：2.512nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：14pF@25V
导通电阻：400mΩ@10V，10A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD95N4F3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.5mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT095N10K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：74W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：54nC@10V
输入电容：1.667nF@50V
连续漏极电流：55A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD95N4F3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.5mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK5R1A08QM，S4X
功率：45W
阈值电压：3.5V@700μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.98nF@40V
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.1mΩ@35A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK5R1A08QM，S4X
功率：45W
阈值电压：3.5V@700μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.98nF@40V
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.1mΩ@35A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK5R1A08QM，S4X
功率：45W
阈值电压：3.5V@700μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.98nF@40V
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.1mΩ@35A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH5020TRPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.6W€8.3W
阈值电压：5V@150μA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.29nF@100V
连续漏极电流：5.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@10V，7.5A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86369-F085
工作温度：-55℃~+175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.53nF@40V
连续漏极电流：90A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.9mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK5R1A08QM，S4X
功率：45W
阈值电压：3.5V@700μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.98nF@40V
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.1mΩ@35A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
