采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI4227PBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：46W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4600pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@17A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM90100E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：散装
输入电容：3930pF@100V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：11.4mΩ@16A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI4227PBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：46W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4600pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@17A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI4227PBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：46W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4600pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@17A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM90100E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：散装
输入电容：3930pF@100V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：11.4mΩ@16A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP32N20C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：28A
类型：1个N沟道
导通电阻：82mΩ@10V，14A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP90100E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：散装
输入电容：3930pF@100V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：10.9mΩ@16A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP32N20C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：28A
类型：1个N沟道
导通电阻：82mΩ@10V，14A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI4227PBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：46W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4600pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@17A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI4227PBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：46W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4600pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@17A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM90100E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：散装
输入电容：3930pF@100V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：11.4mΩ@16A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM90100E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：散装
输入电容：3930pF@100V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：11.4mΩ@16A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP32N20C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：28A
类型：1个N沟道
导通电阻：82mΩ@10V，14A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP32N20C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：28A
类型：1个N沟道
导通电阻：82mΩ@10V，14A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP90100E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：散装
输入电容：3930pF@100V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：10.9mΩ@16A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：IRFI4227PBF
功率：46W
栅极电荷：110nC@10V
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@17A，10V
包装方式：管件
工作温度：-40℃~150℃
ECCN：EAR99
输入电容：4600pF@25V
漏源电压：200V
连续漏极电流：26A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP32N20C
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：2.2nF@25V
功率：156W
类型：1个N沟道
导通电阻：82mΩ@10V，14A
连续漏极电流：28A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP90100E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：散装
输入电容：3930pF@100V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：10.9mΩ@16A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP90100E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：散装
输入电容：3930pF@100V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：10.9mΩ@16A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM90100E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：散装
输入电容：3930pF@100V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：11.4mΩ@16A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM90100E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：散装
输入电容：3930pF@100V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：11.4mΩ@16A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM90100E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：散装
输入电容：3930pF@100V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：11.4mΩ@16A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
