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    栅极电荷
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    栅极电荷: 110nC@10V
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:1900+
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    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQPF47P06 起订50个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQPF47P06 起订50个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF47P06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3600pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRF3205Z 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRF3205Z 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AUIRF3205Z

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:170W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3450pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@66A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUT200N08S5N023ATMA1 起订2000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUT200N08S5N023ATMA1 起订2000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUT200N08S5N023ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:200W

    阈值电压:3.8V@130µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7670pF@40V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@100A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86566-F085 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86566-F085 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB86566-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6655pF@30V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQB47P06TM-AM002 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQB47P06TM-AM002 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQB47P06TM-AM002

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€160W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3600pF@25V

    连续漏极电流:47A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@23.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8425DB-T1-E1 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8425DB-T1-E1 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8425DB-T1-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€2.7W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@10V

    连续漏极电流:5.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:23mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8460 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8460 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS8460

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7205pF@20V

    连续漏极电流:25A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFI4227PBF 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFI4227PBF 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFI4227PBF

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4600pF@25V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@17A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFS3307ZTRLPBF 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFS3307ZTRLPBF 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFS3307ZTRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:230W

    阈值电压:4V@150µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4750pF@50V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@75A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPWR6003PL,L1Q 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPWR6003PL,L1Q 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPWR6003PL,L1Q

    工作温度:175℃

    功率:960mW€170W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10000pF@15V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.6mΩ@50A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86566-F085 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86566-F085 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB86566-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6655pF@30V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFS3307ZTRLPBF 起订800个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFS3307ZTRLPBF 起订800个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFS3307ZTRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:230W

    阈值电压:4V@150µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4750pF@50V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@75A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3632 起订800个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3632 起订800个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3632

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000pF@25V

    连续漏极电流:12A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR2405TRLPBF 起订3000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR2405TRLPBF 起订3000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR2405TRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2430pF@25V

    连续漏极电流:56A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@34A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFP4229PBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFP4229PBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFP4229PBF

    工作温度:-40℃~175℃

    功率:310W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4560pF@25V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@26A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFZ48RSPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFZ48RSPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFZ48RSPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:190W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2400pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@43A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF1310NSTRLPBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF1310NSTRLPBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF1310NSTRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€160W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@25V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@22A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFS4229TRLPBF 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFS4229TRLPBF 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFS4229TRLPBF

    工作温度:-40℃~175℃

    功率:330W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4560pF@25V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:48mΩ@26A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH5250TRPBF 起订508个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH5250TRPBF 起订508个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":24000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFH5250TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€160W

    阈值电压:2.35V@150µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7174pF@13V

    连续漏极电流:45A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.15mΩ@50A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N06S207ATMA4 起订230个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N06S207ATMA4 起订230个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":3,"22+":9000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB80N06S207ATMA4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@180µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3mΩ@68A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFZ48PBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFZ48PBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFZ48PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:190W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2400pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@43A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3632-F085 起订67个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3632-F085 起订67个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":388}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3632-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90N06S4L05ATMA2 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90N06S4L05ATMA2 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD90N06S4L05ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:2.2V@60µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8180pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@90A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3632 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3632 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3632

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000pF@25V

    连续漏极电流:12A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR870BDP-T1-RE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR870BDP-T1-RE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR870BDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€100W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4870pF@50V

    连续漏极电流:18.8A€81A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTBS2D7N06M7 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTBS2D7N06M7 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTBS2D7N06M7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6655pF@30V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR870BDP-T1-RE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR870BDP-T1-RE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR870BDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€100W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4870pF@50V

    连续漏极电流:18.8A€81A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF9540NLPBF 起订296个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF9540NLPBF 起订296个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"9999":1416}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9540NLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€110W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1450pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:P沟道

    导通电阻:117mΩ@14A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4184EY-T1_GE3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4184EY-T1_GE3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4184EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:7.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5400pF@20V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@14A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF9540NSTRLPBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF9540NSTRLPBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9540NSTRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:P沟道

    导通电阻:117mΩ@14A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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