采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6035ENZ4C13
功率：379W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：110nC@10V
输入电容：2.72nF@25V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：102mΩ@18.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6035ENZ4C13
功率：379W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：110nC@10V
输入电容：2.72nF@25V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：102mΩ@18.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6035ENZ4C13
功率：379W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：110nC@10V
输入电容：2.72nF@25V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：102mΩ@18.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP70042E-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：278W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
输入电容：6.49nF@50V
连续漏极电流：150A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6035ENZ4C13
功率：379W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：110nC@10V
输入电容：2.72nF@25V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：102mΩ@18.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6035ENZ4C13
功率：379W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：110nC@10V
输入电容：2.72nF@25V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：102mΩ@18.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6035ENZ4C13
功率：379W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：110nC@10V
输入电容：2.72nF@25V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：102mΩ@18.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R2-80YSEX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：294W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8nF@40V
连续漏极电流：170A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6035ENZ4C13
功率：379W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：110nC@10V
输入电容：2.72nF@25V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：102mΩ@18.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6035ENZ4C13
功率：379W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：110nC@10V
输入电容：2.72nF@25V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：102mΩ@18.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP70042E-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：278W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
输入电容：6.49nF@50V
连续漏极电流：150A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R2-80YSEX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：294W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8nF@40V
连续漏极电流：170A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP70042E-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：278W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
输入电容：6.49nF@50V
连续漏极电流：150A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP70042E-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：278W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
输入电容：6.49nF@50V
连续漏极电流：150A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP4321PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4460pF@25V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：15.5mΩ@33A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH3632
工作温度：-55℃~+175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6nF@25V
连续漏极电流：12A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH3632
工作温度：-55℃~+175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6nF@25V
连续漏极电流：12A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOK66613
工作温度：-55℃~175℃
功率：15.6W€312W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5300pF@30V
连续漏极电流：58.5A€120A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：170W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
输入电容：3.45nF@25V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.5mΩ@10V，66A
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP32N20C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：28A
类型：1个N沟道
导通电阻：82mΩ@10V，14A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R2-80YSEX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：294W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8nF@40V
连续漏极电流：170A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R2-80YSEX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：294W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8nF@40V
连续漏极电流：170A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH3632
工作温度：-55℃~+175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6nF@25V
连续漏极电流：12A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6035ENZ4C13
功率：379W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：110nC@10V
输入电容：2.72nF@25V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：102mΩ@18.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R2-80YSEX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：294W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8nF@40V
连续漏极电流：170A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP32N20C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：28A
类型：1个N沟道
导通电阻：82mΩ@10V，14A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6035ENZ4C13
功率：379W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：110nC@10V
输入电容：2.72nF@25V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：102mΩ@18.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6035ENZ4C13
功率：379W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：110nC@10V
输入电容：2.72nF@25V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：102mΩ@18.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH3632
工作温度：-55℃~+175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6nF@25V
连续漏极电流：12A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6035ENZ4C13
功率：379W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：110nC@10V
输入电容：2.72nF@25V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：102mΩ@18.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
