品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8460
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7205pF@20V
连续漏极电流:25A€49A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4184EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:7.1W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5400pF@20V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8460
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7205pF@20V
连续漏极电流:25A€49A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8460
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7205pF@20V
连续漏极电流:25A€49A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4184EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:7.1W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5400pF@20V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4184EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:7.1W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5400pF@20V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4184EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:7.1W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5400pF@20V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4184EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:7.1W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5400pF@20V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8460
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7205pF@20V
连续漏极电流:25A€49A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":970,"22+":18000,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N04S303ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:4V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7300pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4184EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:7.1W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5400pF@20V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8460
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7205pF@20V
连续漏极电流:25A€49A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8460
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7205pF@20V
连续漏极电流:25A€49A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":970,"22+":18000,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N04S303ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:4V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7300pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8460
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7205pF@20V
连续漏极电流:25A€49A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4184EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:7.1W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5400pF@20V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4184EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:7.1W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5400pF@20V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4184EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:7.1W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5400pF@20V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8460
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7205pF@20V
连续漏极电流:25A€49A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4184EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:7.1W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5400pF@20V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4184EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:7.1W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5400pF@20V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":970,"22+":18000,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N04S303ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:4V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7300pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8460
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7205pF@20V
连续漏极电流:25A€49A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4184EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:7.1W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5400pF@20V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8460
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7205pF@20V
连续漏极电流:25A€49A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":970,"22+":18000,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N04S303ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:4V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7300pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8460
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7205pF@20V
连续漏极电流:25A€49A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4184EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:7.1W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5400pF@20V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4184EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:7.1W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5400pF@20V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4184EY-T1_GE3
输入电容:5400pF@20V
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:29A
导通电阻:4.6mΩ@14A,10V
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
功率:7.1W
包装清单:商品主体 * 1
库存: