采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3632
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：12A€80A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF1310NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€160W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@25V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@22A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：388}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3632-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3632
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：12A€80A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR870BDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€100W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4870pF@50V
连续漏极电流：18.8A€81A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR870BDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€100W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4870pF@50V
连续漏极电流：18.8A€81A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR104LDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€100W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4870pF@50V
连续漏极电流：18.8A€81A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR104LDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€100W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4870pF@50V
连续漏极电流：18.8A€81A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF1310NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€160W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@25V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@22A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR870BDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€100W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4870pF@50V
连续漏极电流：18.8A€81A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@15A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3632
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：12A€80A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3632
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
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输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：12A€80A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR104LDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€100W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4870pF@50V
连续漏极电流：18.8A€81A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3632
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：12A€80A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR104LDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€100W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4870pF@50V
连续漏极电流：18.8A€81A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF1310NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€160W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@25V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@22A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR870BDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€100W
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类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@15A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR104LDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€100W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
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输入电容：4870pF@50V
连续漏极电流：18.8A€81A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3632
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：12A€80A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF1310NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€160W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@25V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@22A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR870BDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€100W
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栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4870pF@50V
连续漏极电流：18.8A€81A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR104LDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€100W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4870pF@50V
连续漏极电流：18.8A€81A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF1310NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€160W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@25V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@22A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR104LDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€100W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4870pF@50V
连续漏极电流：18.8A€81A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3632
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：12A€80A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3632-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF1310NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€160W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@25V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@22A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3632
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：12A€80A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3632
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：12A€80A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR870BDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€100W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4870pF@50V
连续漏极电流：18.8A€81A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
