品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM90100E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:散装
输入电容:3930pF@100V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:11.4mΩ@16A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM90100E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:散装
输入电容:3930pF@100V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:11.4mΩ@16A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP90100E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:散装
输入电容:3930pF@100V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:10.9mΩ@16A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
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规格型号(MPN):SUM90100E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:散装
输入电容:3930pF@100V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:11.4mΩ@16A,10V
漏源电压:200V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SUM90100E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:散装
输入电容:3930pF@100V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:11.4mΩ@16A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP90100E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:散装
输入电容:3930pF@100V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:10.9mΩ@16A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP90100E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:散装
输入电容:3930pF@100V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:10.9mΩ@16A,10V
漏源电压:200V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
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规格型号(MPN):SUP90100E-GE3
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功率:375W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
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包装方式:散装
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连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:10.9mΩ@16A,10V
漏源电压:200V
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SUM90100E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:散装
输入电容:3930pF@100V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:11.4mΩ@16A,10V
漏源电压:200V
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规格型号(MPN):SUM90100E-GE3
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阈值电压:4V@250µA
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栅极电荷:110nC@10V
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输入电容:3930pF@100V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:11.4mΩ@16A,10V
漏源电压:200V
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行业应用:工业,汽车
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栅极电荷:110nC@10V
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连续漏极电流:150A
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导通电阻:11.4mΩ@16A,10V
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