采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86566-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6655pF@30V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86566-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6655pF@30V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ48RSPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@43A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ48PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@43A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD90N06S4L05ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.2V@60µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8180pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@90A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBS2D7N06M7
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6655pF@30V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N06S4L05ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.2V@60µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8180pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB7545PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：3.7V@100µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4010pF@25V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@57A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：10，"21+"：1894}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD90N06S4L05ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.2V@60µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8180pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@90A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ48GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ48GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP048PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@44A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：2000，"22+"：10673}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86566-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6655pF@30V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBS2D7N06M7
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6655pF@30V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBS2D7N06M7
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6655pF@30V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD90N06S4L05ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.2V@60µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8180pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@90A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ48PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@43A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB7545PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：3.7V@100µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4010pF@25V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@57A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ48RSPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@43A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ48GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ48PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@43A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD90N06S4L05ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.2V@60µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8180pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@90A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB7545PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：3.7V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4010pF@25V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@57A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ48GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ48GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ48RPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@43A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ48PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@43A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ48SPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@43A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1057，"22+"：243}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBS2D7N06M7
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6655pF@30V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N06S4L05ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.2V@60µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8180pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
