品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8425DB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@10V
连续漏极电流:5.9A
类型:P沟道
导通电阻:23mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8460
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7205pF@20V
连续漏极电流:25A€49A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":24000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH5250TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€160W
阈值电压:2.35V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7174pF@13V
连续漏极电流:45A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.15mΩ@50A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR870BDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€100W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4870pF@50V
连续漏极电流:18.8A€81A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR870BDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€100W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4870pF@50V
连续漏极电流:18.8A€81A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"9999":1416}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9540NLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€110W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:23A
类型:P沟道
导通电阻:117mΩ@14A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9540NSTRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:23A
类型:P沟道
导通电阻:117mΩ@14A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR104LDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€100W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4870pF@50V
连续漏极电流:18.8A€81A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH7545TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.7V@100µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3890pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@51A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7424TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4030pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:13.5mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8425DB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@10V
连续漏极电流:5.9A
类型:P沟道
导通电阻:23mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA40N25
工作温度:-55℃~150℃
功率:280W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4000pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@20A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9540NLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:23A
类型:P沟道
导通电阻:117mΩ@14A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8425DB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@10V
连续漏极电流:5.9A
类型:P沟道
导通电阻:23mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH52N30P
工作温度:-55℃~150℃
功率:400W
阈值电压:5V@4mA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3490pF@25V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@500mA,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR104LDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€100W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4870pF@50V
连续漏极电流:18.8A€81A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":3880}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTAT6H406NT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8040pF@40V
连续漏极电流:175A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8460
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7205pF@20V
连续漏极电流:25A€49A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7424TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4030pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:13.5mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9540NSTRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:23A
类型:P沟道
导通电阻:117mΩ@14A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7424TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4030pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:13.5mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7424TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4030pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:13.5mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":3880}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTAT6H406NT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8040pF@40V
连续漏极电流:175A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9540NSTRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€110W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:23A
类型:P沟道
导通电阻:117mΩ@14A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8425DB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@10V
连续漏极电流:5.9A
类型:P沟道
导通电阻:23mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9540NSTRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:23A
类型:P沟道
导通电阻:117mΩ@14A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS413DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4280pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:9.4mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:21+
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9540NSTRRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:23A
类型:P沟道
导通电阻:117mΩ@14A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":1602,"21+":4205,"22+":2178,"23+":18000,"24+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC012N03
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€64W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8183pF@15V
连续漏极电流:35A€185A
类型:N沟道
导通电阻:1.23mΩ@35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":1}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT65R033G7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:391W
阈值电压:4V@1.44mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5000pF@400V
连续漏极电流:69A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@28.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: