采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGF20M65DF2
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：108ns
反向恢复时间：166ns
关断损耗：560µJ
开启延迟时间：26ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：63nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2V@15V，20A
导通损耗：140µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGB20M65DF2
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：108ns
反向恢复时间：166ns
关断损耗：560µJ
开启延迟时间：26ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：63nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2V@15V，20A
导通损耗：140µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGF20M65DF2
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：108ns
反向恢复时间：166ns
关断损耗：560µJ
开启延迟时间：26ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：63nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2V@15V，20A
导通损耗：140µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGWA20M65DF2
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：108ns
反向恢复时间：166ns
关断损耗：560µJ
开启延迟时间：26ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：63nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2V@15V，20A
导通损耗：140µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGB20M65DF2
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：108ns
反向恢复时间：166ns
关断损耗：560µJ
开启延迟时间：26ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：63nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2V@15V，20A
导通损耗：140µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCTH40N120G2V-7
工作温度：-55℃~+175℃
功率：250W
阈值电压：5V
栅极电荷：63nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：33A
类型：MOSFET
导通电阻：75mΩ
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGWA20M65DF2
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：108ns
反向恢复时间：166ns
关断损耗：560µJ
开启延迟时间：26ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：63nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2V@15V，20A
导通损耗：140µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGF20M65DF2
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：108ns
反向恢复时间：166ns
关断损耗：560µJ
开启延迟时间：26ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：63nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2V@15V，20A
导通损耗：140µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGF20M65DF2
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：108ns
反向恢复时间：166ns
关断损耗：560µJ
开启延迟时间：26ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：63nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2V@15V，20A
导通损耗：140µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCTH40N120G2V-7
工作温度：-55℃~+175℃
功率：250W
阈值电压：5V
栅极电荷：63nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：33A
类型：MOSFET
导通电阻：75mΩ
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCTH40N120G2V-7
工作温度：-55℃~+175℃
功率：250W
阈值电压：5V
栅极电荷：63nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：33A
类型：MOSFET
导通电阻：75mΩ
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：1000psc
规格型号(MPN)：SCTH40N120G2V-7
包装方式：Reel
功率：250W
导通电阻：75mΩ
栅极电荷：63nC
连续漏极电流：33A
工作温度：-55℃~+175℃
阈值电压：5V
漏源电压：1.2kV
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
