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    栅极电荷: 18nC@5V
    行业应用: 汽车
    当前匹配商品:200+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312CDS-T1-BE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312CDS-T1-BE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2312CDS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:865pF@10V

    连续漏极电流:5A€6A

    类型:N沟道

    导通电阻:31.8mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLD024PBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLD024PBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):100psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLD024PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:18nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:870pF@25V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@1.5A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y53-100B,115 起订4个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y53-100B,115 起订4个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9Y53-100B,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:18nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2130pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:49mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLR024TRPBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLR024TRPBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLR024TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:870pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@8.4A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y53-100B,115 起订4个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y53-100B,115 起订4个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9Y53-100B,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2130pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:49mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLU024PBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLU024PBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLU024PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:870pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@8.4A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y19-55B,115 起订3个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y19-55B,115 起订3个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9Y19-55B,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:85W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1992pF@25V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y19-55B,115 起订3个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y19-55B,115 起订3个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9Y19-55B,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:85W

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:18nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1992pF@25V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLD024PBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLD024PBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):100psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLD024PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:18nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:870pF@25V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@1.5A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312CDS-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312CDS-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2312CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:18nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:865pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:31.8mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312CDS-T1-GE3 起订17个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312CDS-T1-GE3 起订17个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2312CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:18nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:865pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:31.8mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M6R6-30EX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M6R6-30EX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M6R6-30EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2001pF@25V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M6R6-30EX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M6R6-30EX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M6R6-30EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2001pF@25V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y19-55B,115 起订1500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y19-55B,115 起订1500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9Y19-55B,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:85W

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:18nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1992pF@25V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLZ24LPBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLZ24LPBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLZ24LPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€60W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:18nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:870pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@10A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQD19N10LTM 起订5个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQD19N10LTM 起订5个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD19N10LTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:18nC@5V

    输入电容:870pF@25V

    连续漏极电流:15.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312CDS-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312CDS-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2312CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:18nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:865pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:31.8mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD19N10LTM 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD19N10LTM 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD19N10LTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:870pF@25V

    连续漏极电流:15.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLZ24PBF 起订750个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLZ24PBF 起订750个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLZ24PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:60W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:18nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:870pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@10A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y19-55B,115 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y19-55B,115 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9Y19-55B,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:85W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1992pF@25V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD19N10LTM 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD19N10LTM 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD19N10LTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:18nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:870pF@25V

    连续漏极电流:15.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLZ24PBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLZ24PBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLZ24PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:60W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:18nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:870pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@10A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y19-55B,115 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y19-55B,115 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9Y19-55B,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:85W

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:18nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1992pF@25V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLR024PBF 起订1050个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLR024PBF 起订1050个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLR024PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:18nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:870pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@8.4A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y19-55B,115 起订7500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y19-55B,115 起订7500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9Y19-55B,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:85W

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:18nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1992pF@25V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312CDS-T1-GE3 起订9000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312CDS-T1-GE3 起订9000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2312CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:18nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:865pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:31.8mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312CDS-T1-GE3 起订1500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312CDS-T1-GE3 起订1500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2312CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:18nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:865pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:31.8mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLZ24PBF 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLZ24PBF 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLZ24PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:60W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:18nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:870pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@10A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD19N10LTM 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD19N10LTM 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD19N10LTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:870pF@25V

    连续漏极电流:15.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD30N05-20L_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD30N05-20L_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD30N05-20L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:50W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:18nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1175pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@20A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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