品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT7N10TF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@850mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT7N10TF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@850mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT7N10TF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@850mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT7N10TF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@850mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT7N10TF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@850mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT7N10TF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@850mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:杰盛微
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):JSM4606
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:7.5nC@10V
输入电容:398pF@15V
连续漏极电流:6.9A€6A
类型:1个N沟道+1个P沟道
反向传输电容:61pF@15V
导通电阻:19mΩ@10V,6.9A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT7N10TF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@850mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT7N10TF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@850mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT7N10TF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@850mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: