品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RW1E025RPT2CR
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:5.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRQ030P03HZGTR
功率:950mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:1个P沟道
导通电阻:125mΩ@1.5A,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5E030RPTL
功率:700mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:5.2nC@5V
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:1个P沟道
导通电阻:75mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5E030RPTL
功率:700mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:5.2nC@5V
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:1个P沟道
导通电阻:75mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT4N20LTF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:5.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@25V
连续漏极电流:850mA
类型:N沟道
导通电阻:1.35Ω@425mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRQ030P03HZGTR
功率:950mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:1个P沟道
导通电阻:125mΩ@1.5A,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"07+":30174,"MI+":1000,"11+":2000,"06+":14000,"14+":1208,"15+":1000,"16+":1200}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP4N20L
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.2nC@5V
包装方式:管件
输入电容:310pF@25V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:1.35Ω@1.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRR030P03HZGTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRR030P03TL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:5.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRR030P03HZGTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT4N20LTF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:5.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@25V
连续漏极电流:850mA
类型:N沟道
导通电阻:1.35Ω@425mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SP8K31HZGTB
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:5.2nC@5V
输入电容:250pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:120mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRR030P03TL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT4N20LTF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@25V
连续漏极电流:850mA
类型:N沟道
导通电阻:1.35Ω@425mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT4N20LTF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@25V
连续漏极电流:850mA
类型:N沟道
导通电阻:1.35Ω@425mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP4N20L
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.2nC@5V
包装方式:管件
输入电容:310pF@25V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:1.35Ω@1.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT4N20LTF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@25V
连续漏极电流:850mA
类型:N沟道
导通电阻:1.35Ω@425mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT4N20LTF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@25V
连续漏极电流:850mA
类型:N沟道
导通电阻:1.35Ω@425mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRR030P03TL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRR030P03HZGTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:5.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRS040P03FRATB
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:5.2nC@5V
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:75mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRR030P03HZGTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:5.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SP8K31HZGTB
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:5.2nC@5V
输入电容:250pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:120mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT4N20LTF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@25V
连续漏极电流:850mA
类型:N沟道
导通电阻:1.35Ω@425mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT4N20LTF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:5.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@25V
连续漏极电流:850mA
类型:N沟道
导通电阻:1.35Ω@425mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRR030P03TL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT4N20LTF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:5.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@25V
连续漏极电流:850mA
类型:N沟道
导通电阻:1.35Ω@425mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SP8K31HZGTB
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:5.2nC@5V
输入电容:250pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:120mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRL025P03TR
工作温度:150℃
功率:320mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRL025P03TR
工作温度:150℃
功率:320mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: