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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3481EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQ3481EV-T1_GE3
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功率：4W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23.5nC@10V
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输入电容：870pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：P沟道
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功率：4W
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阈值电压：2.5V@250µA
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输入电容：870pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：P沟道
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行业应用：工业,汽车
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连续漏极电流：7.5A
类型：P沟道
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输入电容：870pF@15V
阈值电压：2.5V@250µA
工作温度：-55℃~175℃
类型：P沟道
功率：4W
栅极电荷：23.5nC@10V
导通电阻：43mΩ@5.3A，10V
连续漏极电流：7.5A
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行业应用：工业,汽车
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漏源电压：30V
输入电容：870pF@15V
阈值电压：2.5V@250µA
工作温度：-55℃~175℃
类型：P沟道
功率：4W
栅极电荷：23.5nC@10V
导通电阻：43mΩ@5.3A，10V
连续漏极电流：7.5A
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQ3481EV-T1_GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：870pF@15V
阈值电压：2.5V@250µA
工作温度：-55℃~175℃
类型：P沟道
功率：4W
栅极电荷：23.5nC@10V
导通电阻：43mΩ@5.3A，10V
连续漏极电流：7.5A
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3481EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3481EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：35W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：23.5nC@10V
输入电容：1.05nF@15V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3481EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
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