品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S4L-08
工作温度:-55℃~+175℃
功率:46W
阈值电压:1.2V
栅极电荷:30nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:50A
类型:MOSFET
导通电阻:6.2mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ180P03NS3E G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:40W
阈值电压:3.1V
栅极电荷:30nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:39.6A
类型:MOSFET
导通电阻:13.5mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXYP20N65C3D1
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):105A
关断延迟时间:80ns
反向恢复时间:135ns
关断损耗:350µJ
开启延迟时间:19ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:30nC
类型:PT
集电极电流(Ic):2.5V@15V,20A
导通损耗:430µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXYP20N65C3D1
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):105A
关断延迟时间:80ns
反向恢复时间:135ns
关断损耗:350µJ
开启延迟时间:19ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:30nC
类型:PT
集电极电流(Ic):2.5V@15V,20A
导通损耗:430µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXYP20N65C3D1
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):105A
关断延迟时间:80ns
反向恢复时间:135ns
关断损耗:350µJ
开启延迟时间:19ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:30nC
类型:PT
集电极电流(Ic):2.5V@15V,20A
导通损耗:430µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"19+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):SGP10N60RUFDTU
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):30A
关断延迟时间:36ns
反向恢复时间:60ns
关断损耗:215µJ
开启延迟时间:15ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:30nC
集电极电流(Ic):2.8V@15V,10A
导通损耗:141µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"19+":1000,"22+":19647,"MI+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):SGP10N60RUFDTU
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):30A
关断延迟时间:36ns
反向恢复时间:60ns
关断损耗:215µJ
开启延迟时间:15ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:30nC
集电极电流(Ic):2.8V@15V,10A
导通损耗:141µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):IXYA20N65C3D1
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):105A
关断延迟时间:80ns
反向恢复时间:34ns
关断损耗:650µJ
开启延迟时间:19ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:30nC
集电极电流(Ic):2.5V@15V,20A
导通损耗:430µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):SGP10N60RUFDTU
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):30A
关断延迟时间:36ns
反向恢复时间:60ns
关断损耗:215µJ
开启延迟时间:15ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:30nC
集电极电流(Ic):2.8V@15V,10A
导通损耗:141µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):SGP10N60RUFDTU
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):30A
关断延迟时间:36ns
反向恢复时间:60ns
关断损耗:215µJ
开启延迟时间:15ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:30nC
集电极电流(Ic):2.8V@15V,10A
导通损耗:141µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4805
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:30nC
输入电容:2.06nF
连续漏极电流:9A
类型:2个P沟道
反向传输电容:300pF
导通电阻:15mΩ@9.0A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"19+":1000,"22+":19647,"MI+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):SGP10N60RUFDTU
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):30A
关断延迟时间:36ns
反向恢复时间:60ns
关断损耗:215µJ
开启延迟时间:15ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:30nC
集电极电流(Ic):2.8V@15V,10A
导通损耗:141µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXYP20N65C3D1
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):105A
关断延迟时间:80ns
反向恢复时间:135ns
关断损耗:350µJ
开启延迟时间:19ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:30nC
类型:PT
集电极电流(Ic):2.5V@15V,20A
导通损耗:430µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXYP20N65C3D1
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):105A
关断延迟时间:80ns
反向恢复时间:135ns
关断损耗:350µJ
开启延迟时间:19ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:30nC
类型:PT
集电极电流(Ic):2.5V@15V,20A
导通损耗:430µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXYP20N65C3D1
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):105A
关断延迟时间:80ns
反向恢复时间:135ns
关断损耗:350µJ
开启延迟时间:19ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:30nC
类型:PT
集电极电流(Ic):2.5V@15V,20A
导通损耗:430µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXBT10N170
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):40A
关断延迟时间:500ns
反向恢复时间:360ns
关断损耗:6mJ
开启延迟时间:35ns
集电极截止电流(Ices):1700V
栅极电荷:30nC
集电极电流(Ic):3.8V@15V,10A
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"19+":1000,"22+":19647,"MI+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):SGP10N60RUFDTU
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):30A
关断延迟时间:36ns
反向恢复时间:60ns
关断损耗:215µJ
开启延迟时间:15ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:30nC
集电极电流(Ic):2.8V@15V,10A
导通损耗:141µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXBT10N170
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):40A
关断延迟时间:500ns
反向恢复时间:360ns
关断损耗:6mJ
开启延迟时间:35ns
集电极截止电流(Ices):1700V
栅极电荷:30nC
集电极电流(Ic):3.8V@15V,10A
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"19+":1000,"22+":19647,"MI+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):SGP10N60RUFDTU
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):30A
关断延迟时间:36ns
反向恢复时间:60ns
关断损耗:215µJ
开启延迟时间:15ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:30nC
集电极电流(Ic):2.8V@15V,10A
导通损耗:141µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"19+":1000,"22+":19647,"MI+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):SGP10N60RUFDTU
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):30A
关断延迟时间:36ns
反向恢复时间:60ns
关断损耗:215µJ
开启延迟时间:15ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:30nC
集电极电流(Ic):2.8V@15V,10A
导通损耗:141µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXBT10N170
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):40A
关断延迟时间:500ns
反向恢复时间:360ns
关断损耗:6mJ
开启延迟时间:35ns
集电极截止电流(Ices):1700V
栅极电荷:30nC
集电极电流(Ic):3.8V@15V,10A
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"13+":37,"9999":350}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRGB4715DPBF
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):24A
关断延迟时间:100ns
反向恢复时间:86ns
关断损耗:90µJ
开启延迟时间:30ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:30nC
集电极电流(Ic):2V@15V,8A
导通损耗:200µJ
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):SGP10N60RUFDTU
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):30A
关断延迟时间:36ns
反向恢复时间:60ns
关断损耗:215µJ
开启延迟时间:15ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:30nC
集电极电流(Ic):2.8V@15V,10A
导通损耗:141µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXBH10N170
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):40A
关断延迟时间:500ns
反向恢复时间:360ns
关断损耗:6mJ
开启延迟时间:35ns
集电极截止电流(Ices):1700V
栅极电荷:30nC
集电极电流(Ic):3.8V@15V,10A
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXBH10N170
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):40A
关断延迟时间:500ns
反向恢复时间:360ns
关断损耗:6mJ
开启延迟时间:35ns
集电极截止电流(Ices):1700V
栅极电荷:30nC
集电极电流(Ic):3.8V@15V,10A
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):IXYA20N65C3D1
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):105A
关断延迟时间:80ns
反向恢复时间:34ns
关断损耗:650µJ
开启延迟时间:19ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:30nC
集电极电流(Ic):2.5V@15V,20A
导通损耗:430µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS006N08MC
工作温度:-55℃~+150℃
功率:78W
阈值电压:4V
栅极电荷:30nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:32A
类型:MOSFET
导通电阻:6mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):IXYA20N65C3D1
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):105A
关断延迟时间:80ns
反向恢复时间:34ns
关断损耗:650µJ
开启延迟时间:19ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:30nC
集电极电流(Ic):2.5V@15V,20A
导通损耗:430µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4805
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:30nC
输入电容:2.06nF
连续漏极电流:9A
类型:2个P沟道
反向传输电容:300pF
导通电阻:15mΩ@9.0A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4805
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:30nC
输入电容:2.06nF
连续漏极电流:9A
类型:2个P沟道
反向传输电容:300pF
导通电阻:15mΩ@9.0A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: