采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：IKN01N60RC2ATMA1
包装方式：卷带（TR）
栅极阈值电压(Vge(th))：2.3V@15V，1A
关断延迟时间：80ns
反向恢复时间：59.5ns
关断损耗：0.0135mJ
开启延迟时间：5.6ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：9nC
导通损耗：0.0251mJ
工作温度：-40℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC2523P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：42W
阈值电压：5V
栅极电荷：9nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：3A
类型：MOSFET
导通电阻：1.5Ω
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3443DDV-T1-BE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：4A
类型：MOSFET
导通电阻：90mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC2523P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：42W
阈值电压：5V
栅极电荷：9nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：3A
类型：MOSFET
导通电阻：1.5Ω
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC2523P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：42W
阈值电压：5V
栅极电荷：9nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：3A
类型：MOSFET
导通电阻：1.5Ω
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC2523P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：42W
阈值电压：5V
栅极电荷：9nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：3A
类型：MOSFET
导通电阻：1.5Ω
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：IKN01N60RC2ATMA1
包装方式：卷带（TR）
栅极阈值电压(Vge(th))：2.3V@15V，1A
关断延迟时间：80ns
反向恢复时间：59.5ns
关断损耗：0.0135mJ
开启延迟时间：5.6ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：9nC
导通损耗：0.0251mJ
工作温度：-40℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC2523P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：42W
阈值电压：5V
栅极电荷：9nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：3A
类型：MOSFET
导通电阻：1.5Ω
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC2523P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：42W
阈值电压：5V
栅极电荷：9nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：3A
类型：MOSFET
导通电阻：1.5Ω
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：IKN01N60RC2ATMA1
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
栅极阈值电压(Vge(th))：2.3V@15V，1A
关断延迟时间：80ns
反向恢复时间：59.5ns
关断损耗：0.0135mJ
开启延迟时间：5.6ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：9nC
导通损耗：0.0251mJ
工作温度：-40℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：IKN01N60RC2ATMA1
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
栅极阈值电压(Vge(th))：2.3V@15V，1A
关断延迟时间：80ns
反向恢复时间：59.5ns
关断损耗：0.0135mJ
开启延迟时间：5.6ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：9nC
导通损耗：0.0251mJ
工作温度：-40℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"21+"：107670}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IKN01N60RC2ATMA1
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
栅极阈值电压(Vge(th))：2.3V@15V，1A
关断延迟时间：80ns
反向恢复时间：59.5ns
关断损耗：0.0135mJ
开启延迟时间：5.6ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：9nC
导通损耗：0.0251mJ
工作温度：-40℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：IKN01N60RC2ATMA1
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
栅极阈值电压(Vge(th))：2.3V@15V，1A
关断延迟时间：80ns
反向恢复时间：59.5ns
关断损耗：0.0135mJ
开启延迟时间：5.6ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：9nC
导通损耗：0.0251mJ
工作温度：-40℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：IKN01N60RC2ATMA1
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
栅极阈值电压(Vge(th))：2.3V@15V，1A
关断延迟时间：80ns
反向恢复时间：59.5ns
关断损耗：0.0135mJ
开启延迟时间：5.6ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：9nC
导通损耗：0.0251mJ
工作温度：-40℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：IKN01N60RC2ATMA1
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
栅极阈值电压(Vge(th))：2.3V@15V，1A
关断延迟时间：80ns
反向恢复时间：59.5ns
关断损耗：0.0135mJ
开启延迟时间：5.6ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：9nC
导通损耗：0.0251mJ
工作温度：-40℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：IKN01N60RC2ATMA1
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
栅极阈值电压(Vge(th))：2.3V@15V，1A
关断延迟时间：80ns
反向恢复时间：59.5ns
关断损耗：0.0135mJ
开启延迟时间：5.6ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：9nC
导通损耗：0.0251mJ
工作温度：-40℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：IKN01N60RC2ATMA1
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
栅极阈值电压(Vge(th))：2.3V@15V，1A
关断延迟时间：80ns
反向恢复时间：59.5ns
关断损耗：0.0135mJ
开启延迟时间：5.6ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：9nC
导通损耗：0.0251mJ
工作温度：-40℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC2523P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：42W
阈值电压：5V
栅极电荷：9nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：3A
类型：MOSFET
导通电阻：1.5Ω
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3443DDV-T1-BE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：4A
类型：MOSFET
导通电阻：90mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3443DDV-T1-BE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：4A
类型：MOSFET
导通电阻：90mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC2523P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：42W
阈值电压：5V
栅极电荷：9nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：3A
类型：MOSFET
导通电阻：1.5Ω
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3443DDV-T1-BE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：4A
类型：MOSFET
导通电阻：90mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：IKN01N60RC2ATMA1
包装方式：卷带（TR）
栅极阈值电压(Vge(th))：2.3V@15V，1A
关断延迟时间：80ns
反向恢复时间：59.5ns
关断损耗：0.0135mJ
开启延迟时间：5.6ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：9nC
导通损耗：0.0251mJ
工作温度：-40℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"9999"：450}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRGS4607DPBF
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：12A
关断延迟时间：120ns
反向恢复时间：48ns
关断损耗：62µJ
开启延迟时间：27ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：9nC
集电极电流(Ic)：2.05V@15V，4A
导通损耗：140µJ
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：3000psc
规格型号(MPN)：SI3443DDV-T1-BE3
栅极电荷：9nC
连续漏极电流：4A
包装方式：Reel
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1.5V
导通电阻：90mΩ
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
类型：MOSFET
功率：2.7W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：3000psc
规格型号(MPN)：FDMC2523P
栅极电荷：9nC
包装方式：Reel
漏源电压：150V
连续漏极电流：3A
功率：42W
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：1.5Ω
阈值电压：5V
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：IKN01N60RC2ATMA1
栅极电荷：9nC
集电极截止电流(Ices)：600V
导通损耗：0.0251mJ
工作温度：-40℃~+150℃
ECCN：EAR99
栅极阈值电压(Vge(th))：2.3V@15V，1A
关断延迟时间：80ns
关断损耗：0.0135mJ
包装方式：卷带（TR）
反向恢复时间：59.5ns
开启延迟时间：5.6ns
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：3000psc
规格型号(MPN)：FDMC2523P
栅极电荷：9nC
包装方式：Reel
漏源电压：150V
连续漏极电流：3A
功率：42W
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：1.5Ω
阈值电压：5V
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"11+"：170，"9999"：250}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRGB4059DPBF
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：16A
关断延迟时间：65ns
反向恢复时间：55ns
关断损耗：75µJ
开启延迟时间：25ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：9nC
类型：沟道
集电极电流(Ic)：2.05V@15V，4A
导通损耗：35µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"21+"：107670}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IKN01N60RC2ATMA1
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
栅极阈值电压(Vge(th))：2.3V@15V，1A
关断延迟时间：80ns
反向恢复时间：59.5ns
关断损耗：0.0135mJ
开启延迟时间：5.6ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：9nC
导通损耗：0.0251mJ
工作温度：-40℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
