品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":16890,"12+":650,"15+":300,"MI+":2376}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4939NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:920mW€30W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1954pF@15V
连续漏极电流:9.3A€53A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS588DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€56.8W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:28.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1380pF@40V
连续漏极电流:16.9A€58.1A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM170N06CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:28.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM170N06CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:28.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS588DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€56.8W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:28.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1380pF@40V
连续漏极电流:16.9A€58.1A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS588DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€56.8W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:28.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1380pF@40V
连续漏极电流:16.9A€58.1A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS588DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€56.8W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1380pF@40V
连续漏极电流:16.9A€58.1A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS588DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€56.8W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1380pF@40V
连续漏极电流:16.9A€58.1A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM170N06CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:28.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS588DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€56.8W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1380pF@40V
连续漏极电流:16.9A€58.1A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS588DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€56.8W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1380pF@40V
连续漏极电流:16.9A€58.1A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM170N06CH C5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:900pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM170N06CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:28.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS588DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€56.8W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1380pF@40V
连续漏极电流:16.9A€58.1A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS588DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€56.8W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1380pF@40V
连续漏极电流:16.9A€58.1A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS588DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€56.8W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:28.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1380pF@40V
连续漏极电流:16.9A€58.1A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":16890,"12+":650,"15+":300,"MI+":2376}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4939NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:920mW€30W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1954pF@15V
连续漏极电流:9.3A€53A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS588DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€56.8W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1380pF@40V
连续漏极电流:16.9A€58.1A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM170N06CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:28.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM170N06CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:28.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS588DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€56.8W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1380pF@40V
连续漏极电流:16.9A€58.1A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS588DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€56.8W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1380pF@40V
连续漏极电流:16.9A€58.1A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS588DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€56.8W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:28.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1380pF@40V
连续漏极电流:16.9A€58.1A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS588DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€56.8W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:28.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1380pF@40V
连续漏极电流:16.9A€58.1A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM170N06CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:28.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4939NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:920mW€30W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:28.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1954pF@15V
连续漏极电流:9.3A€53A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM170N06CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:28.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS588DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:16.9A€58.1A
输入电容:1380pF@40V
栅极电荷:28.5nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
导通电阻:8mΩ@10A,10V
阈值电压:4V@250µA
功率:4.8W€56.8W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS588DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:16.9A€58.1A
输入电容:1380pF@40V
栅极电荷:28.5nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
导通电阻:8mΩ@10A,10V
阈值电压:4V@250µA
功率:4.8W€56.8W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM170N06CP ROG
功率:46W
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:28.5nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
输入电容:900pF@25V
漏源电压:60V
导通电阻:17mΩ@20A,10V
连续漏极电流:38A
包装清单:商品主体 * 1
库存: