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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPC70N04S54R6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：3.4V@17µA
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1430pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J808R，LF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@2.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J808R，LXHF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@2.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPC70N04S54R6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：3.4V@17µA
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1430pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A16KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1021pF@30V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@2.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A16KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1021pF@30V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@2.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A16KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1021pF@30V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@2.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPC70N04S54R6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：3.4V@17µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1430pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPC70N04S54R6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：3.4V@17µA
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1430pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPC70N04S54R6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：3.4V@17µA
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1430pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPC70N04S54R6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：3.4V@17µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1430pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPC70N04S54R6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：3.4V@17µA
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1430pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J808R，LXHF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@2.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A16KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1021pF@30V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@2.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J808R，LF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@2.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J808R，LXHF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@2.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：1433，"22+"：27634}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUZ40N08S5N100ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3.8V@27µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1591pF@40V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A16KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1021pF@30V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@2.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J808R，LXHF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@2.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPC70N04S54R6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：3.4V@17µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1430pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A16KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1021pF@30V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@2.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J808R，LXHF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@2.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J808R，LXHF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@2.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPC70N04S54R6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：3.4V@17µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1430pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPC70N04S54R6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：3.4V@17µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1430pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A16KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1021pF@30V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@2.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A16KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1021pF@30V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@2.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPC70N04S54R6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：3.4V@17µA
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1430pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUZ40N08S5N100ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3.8V@27µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1591pF@40V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A16KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1021pF@30V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@2.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
