采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M42-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：867pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M42-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：867pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M42-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：867pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M42-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：8.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：867pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M42-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：867pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M42-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：867pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M42-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：8.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：867pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M42-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：867pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M42-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：867pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPF13N03LA G
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2V@20µA
栅极电荷：8.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1043pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：12.8mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M42-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：8.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：867pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M42-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：8.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：867pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPF13N03LA G
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2V@20µA
栅极电荷：8.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1043pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：12.8mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M42-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：8.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：867pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPF13N03LA G
功率：46W
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：12.8mΩ@30A，10V
类型：N沟道
漏源电压：25V
输入电容：1043pF@15V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：30A
阈值电压：2V@20µA
栅极电荷：8.3nC@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M42-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：867pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1070X-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：236mW
阈值电压：1.55V@250µA
栅极电荷：8.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：385pF@15V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1070X-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：236mW
阈值电压：1.55V@250µA
栅极电荷：8.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：385pF@15V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M42-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：867pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1070X-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：236mW
阈值电压：1.55V@250µA
栅极电荷：8.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：385pF@15V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1070X-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：236mW
阈值电压：1.55V@250µA
栅极电荷：8.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：385pF@15V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1070X-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：236mW
阈值电压：1.55V@250µA
栅极电荷：8.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：385pF@15V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1070X-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：236mW
阈值电压：1.55V@250µA
栅极电荷：8.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：385pF@15V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
