采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTQ035P02HZGTR
工作温度：150℃
功率：950mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：10.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTQ035P02HZGTR
工作温度：150℃
功率：950mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：10.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTQ035P02HZGTR
工作温度：150℃
功率：950mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：10.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTQ035P02HZGTR
工作温度：150℃
功率：950mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：10.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：14400}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3817N-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W€25.9W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：702pF@12V
连续漏极电流：7.6A€34.5A
类型：N沟道
导通电阻：13.9mΩ@15A，10V
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1011UCB9-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：10.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@4V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1011UCB9-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：10.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@4V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1011UCB9-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：10.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@4V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1011UCB9-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：10.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@4V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTQ035P02HZGTR
工作温度：150℃
功率：950mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：10.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTQ035P02HZGTR
工作温度：150℃
功率：950mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：10.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1011UCB9-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：10.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@4V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1011UCB9-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：10.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@4V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1011UCB9-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：10.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@4V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1011UCB9-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：10.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@4V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTQ035P02HZGTR
工作温度：150℃
功率：950mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：10.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3817N-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W€25.9W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：10.5nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：702pF@12V
连续漏极电流：7.6A€34.5A
类型：N沟道
导通电阻：13.9mΩ@15A，10V
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3817N-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W€25.9W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：10.5nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：702pF@12V
连续漏极电流：7.6A€34.5A
类型：N沟道
导通电阻：13.9mΩ@15A，10V
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTQ035P02HZGTR
工作温度：150℃
功率：950mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：10.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1011UCB9-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@4V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTQ035P02HZGTR
工作温度：150℃
功率：950mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：10.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1011UCB9-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：10.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@4V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：75000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3817NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W€25.9W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：702pF@12V
连续漏极电流：7.6A€34.5A
类型：N沟道
导通电阻：13.9mΩ@15A，10V
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：15525}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3817N-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W€25.9W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：702pF@12V
连续漏极电流：7.6A€34.5A
类型：N沟道
导通电阻：13.9mΩ@15A，10V
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1011UCB9-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@4V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTQ035P02HZGTR
工作温度：150℃
功率：950mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：10.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1011UCB9-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：10.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@4V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTQ035P02HZGTR
工作温度：150℃
功率：950mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：10.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1011UCB9-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：10.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@4V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1011UCB9-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：10.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@4V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
