包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDB035N10A

工作温度：-55℃~+175℃

功率：333W

阈值电压：4V

栅极电荷：89nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：214A

类型：MOSFET

导通电阻：3mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDB035N10A

工作温度：-55℃~+175℃

功率：333W

阈值电压：4V

栅极电荷：89nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：214A

类型：MOSFET

导通电阻：3mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDB035N10A

工作温度：-55℃~+175℃

功率：333W

阈值电压：4V

栅极电荷：89nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：214A

类型：MOSFET

导通电阻：3mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXGH32N120A3

ECCN：EAR99

包装方式：管件

集电极脉冲电流(Icm)：230A

集电极截止电流(Ices)：1200V

栅极电荷：89nC

类型：PT

集电极电流(Ic)：2.35V@15V，32A

工作温度：-55℃ ~ 150℃

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDB035N10A

工作温度：-55℃~+175℃

功率：333W

阈值电压：4V

栅极电荷：89nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：214A

类型：MOSFET

导通电阻：3mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXGH32N120A3

ECCN：EAR99

包装方式：管件

集电极脉冲电流(Icm)：230A

集电极截止电流(Ices)：1200V

栅极电荷：89nC

类型：PT

集电极电流(Ic)：2.35V@15V，32A

工作温度：-55℃ ~ 150℃

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXGT32N120A3

包装方式：管件

集电极脉冲电流(Icm)：230A

集电极截止电流(Ices)：1200V

栅极电荷：89nC

类型：PT

集电极电流(Ic)：2.35V@15V，32A

工作温度：-55℃ ~ 150℃

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB024N08NF2SATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：2.2V

栅极电荷：89nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：107A

类型：MOSFET

导通电阻：2.4mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXGT32N120A3

包装方式：管件

集电极脉冲电流(Icm)：230A

集电极截止电流(Ices)：1200V

栅极电荷：89nC

类型：PT

集电极电流(Ic)：2.35V@15V，32A

工作温度：-55℃ ~ 150℃

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB024N08NF2SATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：2.2V

栅极电荷：89nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：107A

类型：MOSFET

导通电阻：2.4mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXGH32N120A3

ECCN：EAR99

包装方式：管件

集电极脉冲电流(Icm)：230A

集电极截止电流(Ices)：1200V

栅极电荷：89nC

类型：PT

集电极电流(Ic)：2.35V@15V，32A

工作温度：-55℃ ~ 150℃

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB024N08NF2SATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：2.2V

栅极电荷：89nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：107A

类型：MOSFET

导通电阻：2.4mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB024N08NF2SATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：2.2V

栅极电荷：89nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：107A

类型：MOSFET

导通电阻：2.4mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB024N08NF2SATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：2.2V

栅极电荷：89nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：107A

类型：MOSFET

导通电阻：2.4mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB024N08NF2SATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：2.2V

栅极电荷：89nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：107A

类型：MOSFET

导通电阻：2.4mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB024N08NF2SATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：2.2V

栅极电荷：89nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：107A

类型：MOSFET

导通电阻：2.4mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDB035N10A

工作温度：-55℃~+175℃

功率：333W

阈值电压：4V

栅极电荷：89nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：214A

类型：MOSFET

导通电阻：3mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDB035N10A

工作温度：-55℃~+175℃

功率：333W

阈值电压：4V

栅极电荷：89nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：214A

类型：MOSFET

导通电阻：3mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDB035N10A

工作温度：-55℃~+175℃

功率：333W

阈值电压：4V

栅极电荷：89nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：214A

类型：MOSFET

导通电阻：3mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDB035N10A

工作温度：-55℃~+175℃

功率：333W

阈值电压：4V

栅极电荷：89nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：214A

类型：MOSFET

导通电阻：3mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB024N08NF2SATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：2.2V

栅极电荷：89nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：107A

类型：MOSFET

导通电阻：2.4mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB024N08NF2SATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：2.2V

栅极电荷：89nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：107A

类型：MOSFET

导通电阻：2.4mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB024N08NF2SATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：2.2V

栅极电荷：89nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：107A

类型：MOSFET

导通电阻：2.4mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1