品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):FGD5T120SH
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):12.5A
关断延迟时间:24.8ns
关断损耗:94µJ
开启延迟时间:4.8ns
集电极截止电流(Ices):1200V
栅极电荷:6.7nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):3.6V@15V,5A
导通损耗:247µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FGD5T120SH
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):12.5A
关断延迟时间:24.8ns
关断损耗:94µJ
开启延迟时间:4.8ns
集电极截止电流(Ices):1200V
栅极电荷:6.7nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):3.6V@15V,5A
导通损耗:247µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FGD5T120SH
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):12.5A
关断延迟时间:24.8ns
关断损耗:94µJ
开启延迟时间:4.8ns
集电极截止电流(Ices):1200V
栅极电荷:6.7nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):3.6V@15V,5A
导通损耗:247µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FGD5T120SH
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):12.5A
关断延迟时间:24.8ns
关断损耗:94µJ
开启延迟时间:4.8ns
集电极截止电流(Ices):1200V
栅极电荷:6.7nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):3.6V@15V,5A
导通损耗:247µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FGD5T120SH
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):12.5A
关断延迟时间:24.8ns
关断损耗:94µJ
开启延迟时间:4.8ns
集电极截止电流(Ices):1200V
栅极电荷:6.7nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):3.6V@15V,5A
导通损耗:247µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FGD5T120SH
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):12.5A
关断延迟时间:24.8ns
关断损耗:94µJ
开启延迟时间:4.8ns
集电极截止电流(Ices):1200V
栅极电荷:6.7nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):3.6V@15V,5A
导通损耗:247µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FGD5T120SH
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):12.5A
关断延迟时间:24.8ns
关断损耗:94µJ
开启延迟时间:4.8ns
集电极截止电流(Ices):1200V
栅极电荷:6.7nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):3.6V@15V,5A
导通损耗:247µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FGD5T120SH
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):12.5A
关断延迟时间:24.8ns
关断损耗:94µJ
开启延迟时间:4.8ns
集电极截止电流(Ices):1200V
栅极电荷:6.7nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):3.6V@15V,5A
导通损耗:247µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML0030TRPBF-ES
功率:1.4W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:6.7nC
输入电容:550pF
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
反向传输电容:48pF
导通电阻:21mΩ@10V,5.8A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NCE3400-ES
功率:1.4W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:6.7nC
输入电容:550pF
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
反向传输电容:48pF
导通电阻:19mΩ@10V,6.0A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FGD5T120SH
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):12.5A
关断延迟时间:24.8ns
关断损耗:94µJ
开启延迟时间:4.8ns
集电极截止电流(Ices):1200V
栅极电荷:6.7nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):3.6V@15V,5A
导通损耗:247µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NCE3400-ES
功率:1.4W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:6.7nC
输入电容:550pF
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
反向传输电容:48pF
导通电阻:19mΩ@10V,6.0A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3480C-ES
功率:1.4W
阈值电压:1V
栅极电荷:6.7nC
输入电容:550pF
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
反向传输电容:48pF
导通电阻:21mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3400A
功率:1.4W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:6.7nC
输入电容:550pF
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
反向传输电容:48pF
导通电阻:19mΩ@10V,6.0A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3400
功率:1.4W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:6.7nC
输入电容:550pF
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
反向传输电容:48pF
导通电阻:19mΩ@10V,6.0A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FGD5T120SH
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):12.5A
关断延迟时间:24.8ns
关断损耗:94µJ
开启延迟时间:4.8ns
集电极截止电流(Ices):1200V
栅极电荷:6.7nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):3.6V@15V,5A
导通损耗:247µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FGD5T120SH
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):12.5A
关断延迟时间:24.8ns
关断损耗:94µJ
开启延迟时间:4.8ns
集电极截止电流(Ices):1200V
栅极电荷:6.7nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):3.6V@15V,5A
导通损耗:247µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FGD5T120SH
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):12.5A
关断延迟时间:24.8ns
关断损耗:94µJ
开启延迟时间:4.8ns
集电极截止电流(Ices):1200V
栅极电荷:6.7nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):3.6V@15V,5A
导通损耗:247µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FGD5T120SH
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):12.5A
关断延迟时间:24.8ns
关断损耗:94µJ
开启延迟时间:4.8ns
集电极截止电流(Ices):1200V
栅极电荷:6.7nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):3.6V@15V,5A
导通损耗:247µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FGD5T120SH
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):12.5A
关断延迟时间:24.8ns
关断损耗:94µJ
开启延迟时间:4.8ns
集电极截止电流(Ices):1200V
栅极电荷:6.7nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):3.6V@15V,5A
导通损耗:247µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FGD5T120SH
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):12.5A
关断延迟时间:24.8ns
关断损耗:94µJ
开启延迟时间:4.8ns
集电极截止电流(Ices):1200V
栅极电荷:6.7nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):3.6V@15V,5A
导通损耗:247µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FGD5T120SH
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):12.5A
关断延迟时间:24.8ns
关断损耗:94µJ
开启延迟时间:4.8ns
集电极截止电流(Ices):1200V
栅极电荷:6.7nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):3.6V@15V,5A
导通损耗:247µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FGD5T120SH
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):12.5A
关断延迟时间:24.8ns
关断损耗:94µJ
开启延迟时间:4.8ns
集电极截止电流(Ices):1200V
栅极电荷:6.7nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):3.6V@15V,5A
导通损耗:247µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FGD5T120SH
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):12.5A
关断延迟时间:24.8ns
关断损耗:94µJ
开启延迟时间:4.8ns
集电极截止电流(Ices):1200V
栅极电荷:6.7nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):3.6V@15V,5A
导通损耗:247µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220LPDW-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:2.5V
栅极电荷:6.7nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:8A
类型:MOSFET
导通电阻:222mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3480C-ES
功率:1.4W
阈值电压:1V
栅极电荷:6.7nC
输入电容:550pF
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
反向传输电容:48pF
导通电阻:21mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):YJL3400-ES
功率:1.4W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:6.7nC
输入电容:550pF
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
反向传输电容:48pF
导通电阻:19mΩ@10V,6.0A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CJ3400-ES
功率:1.4W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:6.7nC
输入电容:550pF
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
反向传输电容:48pF
导通电阻:19mΩ@10V,6.0A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3400
功率:1.4W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:6.7nC
输入电容:550pF
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
反向传输电容:48pF
导通电阻:19mΩ@10V,6.0A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CJ3400-ES
功率:1.4W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:6.7nC
输入电容:550pF
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
反向传输电容:48pF
导通电阻:19mΩ@10V,6.0A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: