采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC004NE2LS5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€188W
阈值电压：2V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：238nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@12.5V
连续漏极电流：40A€479A
类型：N沟道
导通电阻：0.45mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDL100N50F
工作温度：-55℃~150℃
功率：2500W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：238nC@10V
包装方式：管件
输入电容：12000pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@50A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT80060DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：238nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20170pF@30V
连续漏极电流：43A€292A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@43A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC004NE2LS5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€188W
阈值电压：2V@10mA
栅极电荷：238nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@12.5V
连续漏极电流：40A€479A
类型：N沟道
导通电阻：0.45mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC004NE2LS5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€188W
阈值电压：2V@10mA
栅极电荷：238nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@12.5V
连续漏极电流：40A€479A
类型：N沟道
导通电阻：0.45mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC004NE2LS5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€188W
阈值电压：2V@10mA
栅极电荷：238nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@12.5V
连续漏极电流：40A€479A
类型：N沟道
导通电阻：0.45mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT80060DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：238nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20170pF@30V
连续漏极电流：43A€292A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@43A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC004NE2LS5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€188W
阈值电压：2V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：238nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@12.5V
连续漏极电流：40A€479A
类型：N沟道
导通电阻：0.45mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：715，"22+"：925，"MI+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC004NE2LS5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€188W
阈值电压：2V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：238nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@12.5V
连续漏极电流：40A€479A
类型：N沟道
导通电阻：0.45mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：715，"22+"：925，"MI+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC004NE2LS5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€188W
阈值电压：2V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：238nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@12.5V
连续漏极电流：40A€479A
类型：N沟道
导通电阻：0.45mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3000，"23+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT80060DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：238nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20170pF@30V
连续漏极电流：43A€292A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@43A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3000，"23+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT80060DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：238nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20170pF@30V
连续漏极电流：43A€292A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@43A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC004NE2LS5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€188W
阈值电压：2V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：238nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@12.5V
连续漏极电流：40A€479A
类型：N沟道
导通电阻：0.45mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC004NE2LS5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€188W
阈值电压：2V@10mA
栅极电荷：238nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@12.5V
连续漏极电流：40A€479A
类型：N沟道
导通电阻：0.45mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDL100N50F
工作温度：-55℃~150℃
功率：2500W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：238nC@10V
包装方式：管件
输入电容：12000pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@50A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDL100N50F
工作温度：-55℃~150℃
功率：2500W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：238nC@10V
包装方式：管件
输入电容：12000pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@50A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC004NE2LS5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€188W
阈值电压：2V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：238nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@12.5V
连续漏极电流：40A€479A
类型：N沟道
导通电阻：0.45mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC004NE2LS5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€188W
阈值电压：2V@10mA
栅极电荷：238nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@12.5V
连续漏极电流：40A€479A
类型：N沟道
导通电阻：0.45mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC004NE2LS5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€188W
阈值电压：2V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：238nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@12.5V
连续漏极电流：40A€479A
类型：N沟道
导通电阻：0.45mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDL100N50F
工作温度：-55℃~150℃
功率：2500W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：238nC@10V
包装方式：管件
输入电容：12000pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@50A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT80060DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：238nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20170pF@30V
连续漏极电流：43A€292A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@43A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDL100N50F
工作温度：-55℃~150℃
功率：2500W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：238nC@10V
包装方式：管件
输入电容：12000pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@50A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3000，"23+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT80060DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：238nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20170pF@30V
连续漏极电流：43A€292A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@43A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT80060DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：238nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20170pF@30V
连续漏极电流：43A€292A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@43A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC004NE2LS5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€188W
阈值电压：2V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：238nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@12.5V
连续漏极电流：40A€479A
类型：N沟道
导通电阻：0.45mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC004NE2LS5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€188W
阈值电压：2V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：238nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@12.5V
连续漏极电流：40A€479A
类型：N沟道
导通电阻：0.45mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC004NE2LS5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€188W
阈值电压：2V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：238nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@12.5V
连续漏极电流：40A€479A
类型：N沟道
导通电阻：0.45mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC004NE2LS5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€188W
阈值电压：2V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：238nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@12.5V
连续漏极电流：40A€479A
类型：N沟道
导通电阻：0.45mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3000，"23+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT80060DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：238nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20170pF@30V
连续漏极电流：43A€292A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@43A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDL100N50F
工作温度：-55℃~150℃
功率：2500W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：238nC@10V
包装方式：管件
输入电容：12000pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@50A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
