品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SKI06106
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:2.5V@650µA
栅极电荷:38.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2520pF@25V
连续漏极电流:57A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@28.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH4025SFVWQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.3W€60W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:38.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1918pF@20V
连续漏极电流:8.7A€40A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH4025SFVWQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.3W€60W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:38.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1918pF@20V
连续漏极电流:8.7A€40A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SKI06106
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:2.5V@650µA
栅极电荷:38.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2520pF@25V
连续漏极电流:57A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@28.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTA3N150HV
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:38.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1375pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:7.3Ω@1.5A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTA3N150HV
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:38.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1375pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:7.3Ω@1.5A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTA3N150HV
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:38.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1375pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:7.3Ω@1.5A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH4025SFVWQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.3W€60W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:38.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1918pF@20V
连续漏极电流:8.7A€40A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH4025SFVWQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.3W€60W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:38.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1918pF@20V
连续漏极电流:8.7A€40A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH4025SFVWQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.3W€60W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:38.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1918pF@20V
连续漏极电流:8.7A€40A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH4025SFVWQ-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
连续漏极电流:8.7A€40A
栅极电荷:38.6nC@10V
功率:2.3W€60W
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:1.8V@250µA
类型:P沟道
输入电容:1918pF@20V
导通电阻:25mΩ@30A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH4025SFVWQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.3W€60W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:38.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1918pF@20V
连续漏极电流:8.7A€40A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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