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品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"22+"：780}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AFGHL75T65SQDT
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：300A
关断延迟时间：106ns
反向恢复时间：75ns
关断损耗：1.14mJ
开启延迟时间：24ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：136nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，75A
导通损耗：2.12mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AFGHL75T65SQDT
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：300A
关断延迟时间：106ns
反向恢复时间：75ns
关断损耗：1.14mJ
开启延迟时间：24ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：136nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，75A
导通损耗：2.12mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"22+"：780}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AFGHL75T65SQDT
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：300A
关断延迟时间：106ns
反向恢复时间：75ns
关断损耗：1.14mJ
开启延迟时间：24ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：136nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，75A
导通损耗：2.12mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"22+"：780}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AFGHL75T65SQDT
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：300A
关断延迟时间：106ns
反向恢复时间：75ns
关断损耗：1.14mJ
开启延迟时间：24ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：136nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，75A
导通损耗：2.12mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AFGHL75T65SQDT
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：300A
关断延迟时间：106ns
反向恢复时间：75ns
关断损耗：1.14mJ
开启延迟时间：24ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：136nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，75A
导通损耗：2.12mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：IKB30N65EH5ATMA1
ECCN：EAR99
栅极阈值电压(Vge(th))：2.1V@15V，30A
关断延迟时间：159ns
反向恢复时间：75ns
关断损耗：0.3mJ
开启延迟时间：24ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：70nC
类型：FS(场截止)
导通损耗：0.87mJ
工作温度：-40℃~+175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AFGHL75T65SQDT
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：300A
关断延迟时间：106ns
反向恢复时间：75ns
关断损耗：1.14mJ
开启延迟时间：24ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：136nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，75A
导通损耗：2.12mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AFGHL75T65SQDT
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：300A
关断延迟时间：106ns
反向恢复时间：75ns
关断损耗：1.14mJ
开启延迟时间：24ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：136nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，75A
导通损耗：2.12mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AFGHL75T65SQDT
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：300A
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反向恢复时间：75ns
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类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，75A
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工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：IKB30N65EH5ATMA1
ECCN：EAR99
栅极阈值电压(Vge(th))：2.1V@15V，30A
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反向恢复时间：75ns
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开启延迟时间：24ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：70nC
类型：FS(场截止)
导通损耗：0.87mJ
工作温度：-40℃~+175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AFGHL75T65SQDT
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：300A
关断延迟时间：106ns
反向恢复时间：75ns
关断损耗：1.14mJ
开启延迟时间：24ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：136nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，75A
导通损耗：2.12mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AFGHL75T65SQDT
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，75A
类型：沟槽型场截止
反向恢复时间：75ns
导通损耗：2.12mJ
ECCN：EAR99
关断延迟时间：106ns
栅极电荷：136nC
工作温度：-55℃ ~ 175℃
开启延迟时间：24ns
集电极截止电流(Ices)：650V
集电极脉冲电流(Icm)：300A
关断损耗：1.14mJ
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AFGHL75T65SQDT
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，75A
类型：沟槽型场截止
反向恢复时间：75ns
导通损耗：2.12mJ
关断延迟时间：106ns
栅极电荷：136nC
工作温度：-55℃ ~ 175℃
开启延迟时间：24ns
集电极截止电流(Ices)：650V
集电极脉冲电流(Icm)：300A
关断损耗：1.14mJ
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
生产批次：{"22+"：780}
规格型号(MPN)：AFGHL75T65SQDT
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，75A
类型：沟槽型场截止
反向恢复时间：75ns
导通损耗：2.12mJ
ECCN：EAR99
关断延迟时间：106ns
栅极电荷：136nC
工作温度：-55℃ ~ 175℃
开启延迟时间：24ns
集电极截止电流(Ices)：650V
集电极脉冲电流(Icm)：300A
关断损耗：1.14mJ
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：IKB30N65EH5ATMA1
ECCN：EAR99
栅极阈值电压(Vge(th))：2.1V@15V，30A
关断延迟时间：159ns
反向恢复时间：75ns
关断损耗：0.3mJ
开启延迟时间：24ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：70nC
类型：FS(场截止)
导通损耗：0.87mJ
工作温度：-40℃~+175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AFGHL75T65SQDT
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：300A
关断延迟时间：106ns
反向恢复时间：75ns
关断损耗：1.14mJ
开启延迟时间：24ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：136nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，75A
导通损耗：2.12mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：IKB30N65EH5ATMA1
ECCN：EAR99
栅极阈值电压(Vge(th))：2.1V@15V，30A
关断延迟时间：159ns
反向恢复时间：75ns
关断损耗：0.3mJ
开启延迟时间：24ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：70nC
类型：FS(场截止)
导通损耗：0.87mJ
工作温度：-40℃~+175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"22+"：780}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AFGHL75T65SQDT
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：300A
关断延迟时间：106ns
反向恢复时间：75ns
关断损耗：1.14mJ
开启延迟时间：24ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：136nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，75A
导通损耗：2.12mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"22+"：780}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AFGHL75T65SQDT
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：300A
关断延迟时间：106ns
反向恢复时间：75ns
关断损耗：1.14mJ
开启延迟时间：24ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：136nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，75A
导通损耗：2.12mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"22+"：780}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AFGHL75T65SQDT
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：300A
关断延迟时间：106ns
反向恢复时间：75ns
关断损耗：1.14mJ
开启延迟时间：24ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：136nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，75A
导通损耗：2.12mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AFGHL75T65SQDT
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：300A
关断延迟时间：106ns
反向恢复时间：75ns
关断损耗：1.14mJ
开启延迟时间：24ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：136nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，75A
导通损耗：2.12mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AFGHL75T65SQDT
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：300A
关断延迟时间：106ns
反向恢复时间：75ns
关断损耗：1.14mJ
开启延迟时间：24ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：136nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，75A
导通损耗：2.12mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AFGHL75T65SQDT
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：300A
关断延迟时间：106ns
反向恢复时间：75ns
关断损耗：1.14mJ
开启延迟时间：24ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：136nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，75A
导通损耗：2.12mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
