品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGHL50T65SQDT
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:70ns
关断损耗:13µJ
开启延迟时间:22ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:99.7nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,50A
导通损耗:223µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGHL50T65SQDT
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:70ns
关断损耗:13µJ
开启延迟时间:22ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:99.7nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,50A
导通损耗:223µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":9406}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH50T65SQD-F155
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:105ns
反向恢复时间:31ns
关断损耗:45µJ
开启延迟时间:22ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:99nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,50A
导通损耗:180µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGHL40T65MQD
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):160A
关断延迟时间:109ns
反向恢复时间:33ns
关断损耗:520µJ
开启延迟时间:22ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:86nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):1.8V@15V,40A
导通损耗:860µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH50T65SQD-F155
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:105ns
反向恢复时间:31ns
关断损耗:45µJ
开启延迟时间:22ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:99nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,50A
导通损耗:180µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH50T65SQD-F155
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:105ns
反向恢复时间:31ns
关断损耗:45µJ
开启延迟时间:22ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:99nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,50A
导通损耗:180µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH50T65SQD-F155
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:105ns
反向恢复时间:31ns
关断损耗:45µJ
开启延迟时间:22ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:99nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,50A
导通损耗:180µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":9406}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH50T65SQD-F155
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:105ns
反向恢复时间:31ns
关断损耗:45µJ
开启延迟时间:22ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:99nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,50A
导通损耗:180µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH50T65SQD-F155
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:105ns
反向恢复时间:31ns
关断损耗:45µJ
开启延迟时间:22ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:99nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,50A
导通损耗:180µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":9406}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH50T65SQD-F155
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:105ns
反向恢复时间:31ns
关断损耗:45µJ
开启延迟时间:22ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:99nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,50A
导通损耗:180µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"17+":1391}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRGB4B60KPBF
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):24A
关断延迟时间:100ns
关断损耗:83µJ
开启延迟时间:22ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:12nC
类型:NPT
集电极电流(Ic):2.5V@15V,4A
导通损耗:130µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGHL40T65MQD
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):160A
关断延迟时间:109ns
反向恢复时间:33ns
关断损耗:520µJ
开启延迟时间:22ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:86nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):1.8V@15V,40A
导通损耗:860µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH50T65SQD-F155
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:105ns
反向恢复时间:31ns
关断损耗:45µJ
开启延迟时间:22ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:99nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,50A
导通损耗:180µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGHL40T65MQD
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):160A
关断延迟时间:109ns
反向恢复时间:33ns
关断损耗:520µJ
开启延迟时间:22ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:86nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):1.8V@15V,40A
导通损耗:860µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXYH40N120B3
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:177ns
关断损耗:1.6mJ
开启延迟时间:22ns
集电极截止电流(Ices):1200V
栅极电荷:87nC
集电极电流(Ic):2.9V@15V,40A
导通损耗:2.7mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH50T65SQD-F155
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:105ns
反向恢复时间:31ns
关断损耗:45µJ
开启延迟时间:22ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:99nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,50A
导通损耗:180µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":9406}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH50T65SQD-F155
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:105ns
反向恢复时间:31ns
关断损耗:45µJ
开启延迟时间:22ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:99nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,50A
导通损耗:180µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGHL40T65MQD
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):160A
关断延迟时间:109ns
反向恢复时间:33ns
关断损耗:520µJ
开启延迟时间:22ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:86nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):1.8V@15V,40A
导通损耗:860µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH50T65SQD-F155
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:105ns
反向恢复时间:31ns
关断损耗:45µJ
开启延迟时间:22ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:99nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,50A
导通损耗:180µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH50T65SQD-F155
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:105ns
反向恢复时间:31ns
关断损耗:45µJ
开启延迟时间:22ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:99nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,50A
导通损耗:180µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":9406}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH50T65SQD-F155
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:105ns
反向恢复时间:31ns
关断损耗:45µJ
开启延迟时间:22ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:99nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,50A
导通损耗:180µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH50T65SQD-F155
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:105ns
反向恢复时间:31ns
关断损耗:45µJ
开启延迟时间:22ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:99nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,50A
导通损耗:180µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH50T65SQD-F155
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:105ns
反向恢复时间:31ns
关断损耗:45µJ
开启延迟时间:22ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:99nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,50A
导通损耗:180µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH50T65SQD-F155
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:105ns
反向恢复时间:31ns
关断损耗:45µJ
开启延迟时间:22ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:99nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,50A
导通损耗:180µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGHL50T65SQDT
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:70ns
关断损耗:13µJ
开启延迟时间:22ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:99.7nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,50A
导通损耗:223µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH50T65SQD-F155
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:105ns
反向恢复时间:31ns
关断损耗:45µJ
开启延迟时间:22ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:99nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,50A
导通损耗:180µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):IXYN50N170CV1
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):485A
关断延迟时间:236ns
反向恢复时间:255ns
关断损耗:5.6mJ
开启延迟时间:22ns
集电极截止电流(Ices):1700V
栅极电荷:260nC
集电极电流(Ic):3.7V@15V,50A
导通损耗:8.7mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGHL40T65MQD
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):160A
关断延迟时间:109ns
反向恢复时间:33ns
关断损耗:520µJ
开启延迟时间:22ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:86nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):1.8V@15V,40A
导通损耗:860µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH50T65SQD-F155
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:105ns
反向恢复时间:31ns
关断损耗:45µJ
开启延迟时间:22ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:99nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,50A
导通损耗:180µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH50T65SQD-F155
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:105ns
反向恢复时间:31ns
关断损耗:45µJ
开启延迟时间:22ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:99nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,50A
导通损耗:180µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存: