销售单位：个

规格型号(MPN)：STGW50H65DFB2-4

栅极阈值电压(Vge(th))：2V@15V，50A

关断延迟时间：128ns

反向恢复时间：92ns

关断损耗：0.478mJ

开启延迟时间：18ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：151nC

类型：FS(场截止)

导通损耗：0.629mJ

工作温度：-55℃~+175℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STGW50H65DFB2-4

栅极阈值电压(Vge(th))：2V@15V，50A

关断延迟时间：128ns

反向恢复时间：92ns

关断损耗：0.478mJ

开启延迟时间：18ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：151nC

类型：FS(场截止)

导通损耗：0.629mJ

工作温度：-55℃~+175℃

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FGH60N60SMD

集电极截止电流(Ices)：600V

反向恢复时间：39ns

类型：FS(场截止)

ECCN：EAR99

栅极电荷：189nC

工作温度：-55℃~+175℃

关断损耗：0.45mJ

导通损耗：1.26mJ

栅极阈值电压(Vge(th))：2.5V@15V，60A

关断延迟时间：104ns

包装方式：管件

开启延迟时间：18ns

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STGW50H65DFB2-4

关断延迟时间：128ns

类型：FS(场截止)

关断损耗：0.478mJ

工作温度：-55℃~+175℃

集电极截止电流(Ices)：650V

反向恢复时间：92ns

栅极阈值电压(Vge(th))：2V@15V，50A

开启延迟时间：18ns

栅极电荷：151nC

导通损耗：0.629mJ

包装清单：商品主体 * 1