品牌:INFINEON
分类:IGBT
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品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
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销售单位:个
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品牌:INFINEON
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
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分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
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分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
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品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
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销售单位:个
规格型号(MPN):STGWA75H65DFB2
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栅极电荷:207nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,75A
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库存:
品牌:INFINEON
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IKW75N65ET7XKSA1
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):225A
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SHDT-F155
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):225A
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类型:沟槽型场截止
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SHDT-F155
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):225A
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栅极电荷:123nC
类型:沟槽型场截止
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SHDT-F155
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):225A
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栅极电荷:123nC
类型:沟槽型场截止
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包装清单:商品主体 * 1
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销售单位:个
规格型号(MPN):STGWA75H65DFB2
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集电极脉冲电流(Icm):225A
关断延迟时间:100ns
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集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:207nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,75A
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工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SHD-F155
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):225A
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品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SHD-F155
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):225A
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栅极电荷:123nC
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SHD-F155
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):225A
关断延迟时间:80ns
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集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:123nC
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集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SHD-F155
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):225A
关断延迟时间:80ns
反向恢复时间:43.4ns
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集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:123nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
导通损耗:2.4mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IKW75N65ET7XKSA1
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):225A
关断延迟时间:310ns
反向恢复时间:100ns
关断损耗:1.23mJ
开启延迟时间:28ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:435nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):1.65V@15V,75A
导通损耗:2.17mJ
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SHD-F155
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):225A
关断延迟时间:80ns
反向恢复时间:43.4ns
关断损耗:720µJ
开启延迟时间:28ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:123nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
导通损耗:2.4mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SHDT-F155
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):225A
关断延迟时间:86ns
反向恢复时间:76ns
关断损耗:750µJ
开启延迟时间:28ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:123nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
导通损耗:3mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SHDT-F155
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):225A
关断延迟时间:86ns
反向恢复时间:76ns
关断损耗:750µJ
开启延迟时间:28ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:123nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
导通损耗:3mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IKW75N65ET7XKSA1
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):225A
关断延迟时间:310ns
反向恢复时间:100ns
关断损耗:1.23mJ
开启延迟时间:28ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:435nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):1.65V@15V,75A
导通损耗:2.17mJ
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":13950,"23+":85040,"MI+":900}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SHD-F155
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):225A
关断延迟时间:80ns
反向恢复时间:43.4ns
关断损耗:720µJ
开启延迟时间:28ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:123nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
导通损耗:2.4mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":13950,"23+":85040,"MI+":900}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SHD-F155
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):225A
关断延迟时间:80ns
反向恢复时间:43.4ns
关断损耗:720µJ
开启延迟时间:28ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:123nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
导通损耗:2.4mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":1235}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SHDT-F155
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):225A
关断延迟时间:86ns
反向恢复时间:76ns
关断损耗:750µJ
开启延迟时间:28ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:123nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
导通损耗:3mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":13950,"23+":85040,"MI+":900}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SHD-F155
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):225A
关断延迟时间:80ns
反向恢复时间:43.4ns
关断损耗:720µJ
开启延迟时间:28ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:123nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
导通损耗:2.4mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":13950,"23+":85040,"MI+":900}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SHD-F155
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):225A
关断延迟时间:80ns
反向恢复时间:43.4ns
关断损耗:720µJ
开启延迟时间:28ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:123nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
导通损耗:2.4mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":1235}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SHDT-F155
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):225A
关断延迟时间:86ns
反向恢复时间:76ns
关断损耗:750µJ
开启延迟时间:28ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:123nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
导通损耗:3mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存: