采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：FF200R12KT4
输入电容：1.4nF@25V
栅极阈值电压(Vge(th))：5.8V@7.6mA
正向压降：1.65V@200A
关断延迟时间：450ns
关断损耗：14mJ
开启延迟时间：160ns
集电极截止电流(Ices)：1.2kV
类型：IGBT模块
集电极电流(Ic)：1.75V@200A，15V
导通损耗：10mJ
工作温度：-40℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FF200R12KT4
输入电容：1.4nF@25V
栅极阈值电压(Vge(th))：5.8V@7.6mA
正向压降：1.65V@200A
关断延迟时间：450ns
关断损耗：14mJ
开启延迟时间：160ns
集电极截止电流(Ices)：1.2kV
类型：IGBT模块
集电极电流(Ic)：1.75V@200A，15V
导通损耗：10mJ
工作温度：-40℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：FF200R12KT4
输入电容：1.4nF@25V
栅极阈值电压(Vge(th))：5.8V@7.6mA
正向压降：1.65V@200A
关断延迟时间：450ns
关断损耗：14mJ
开启延迟时间：160ns
集电极截止电流(Ices)：1.2kV
类型：IGBT模块
集电极电流(Ic)：1.75V@200A，15V
导通损耗：10mJ
工作温度：-40℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FF200R12KT4
输入电容：1.4nF@25V
栅极阈值电压(Vge(th))：5.8V@7.6mA
正向压降：1.65V@200A
关断延迟时间：450ns
关断损耗：14mJ
开启延迟时间：160ns
集电极截止电流(Ices)：1.2kV
类型：IGBT模块
集电极电流(Ic)：1.75V@200A，15V
导通损耗：10mJ
工作温度：-40℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
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