采购热线 400-661-9010
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM2046C-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：270mW
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：1.07nC@4.5V
输入电容：30pF@10V
连续漏极电流：550mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：5pF@10V
导通电阻：420mΩ@4.5V，350mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM2046C-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：270mW
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：1.07nC@4.5V
输入电容：30pF@10V
连续漏极电流：550mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：5pF@10V
导通电阻：420mΩ@4.5V，350mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：WNM2046C-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：270mW
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：1.07nC@4.5V
输入电容：30pF@10V
连续漏极电流：550mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：5pF@10V
导通电阻：420mΩ@4.5V，350mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM2046C-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：270mW
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：1.07nC@4.5V
输入电容：30pF@10V
连续漏极电流：550mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：5pF@10V
导通电阻：420mΩ@4.5V，350mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSU002P03T106
功率：200mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：1个P沟道
反向传输电容：5pF@10V
导通电阻：900mΩ@10V，200mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSU002P03T106
功率：200mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：1个P沟道
反向传输电容：5pF@10V
导通电阻：900mΩ@10V，200mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSU002P03T106
功率：200mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：1个P沟道
反向传输电容：5pF@10V
导通电阻：900mΩ@10V，200mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
