品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MPF10N65
工作温度:-55℃~+150℃
功率:107W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:37nC@10V
输入电容:1.11nF@25V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
反向传输电容:13pF@25V
导通电阻:950mΩ@10V,4A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT4N65C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:19nC@10V
输入电容:520pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
反向传输电容:13pF@25V
导通电阻:2.41Ω@10V,2A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT4N65C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:19nC@10V
输入电容:520pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
反向传输电容:13pF@25V
导通电阻:2.41Ω@10V,2A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT4N65C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:19nC@10V
输入电容:520pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
反向传输电容:13pF@25V
导通电阻:2.41Ω@10V,2A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MP5N50
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38W
阈值电压:3.3V@250μA
栅极电荷:26nC@10V
输入电容:657pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
反向传输电容:13pF@25V
导通电阻:1.25Ω@10V,2.5A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MP5N50
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38W
阈值电压:3.3V@250μA
栅极电荷:26nC@10V
输入电容:657pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
反向传输电容:13pF@25V
导通电阻:1.25Ω@10V,2.5A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MP5N50
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38W
阈值电压:3.3V@250μA
栅极电荷:26nC@10V
输入电容:657pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
反向传输电容:13pF@25V
导通电阻:1.25Ω@10V,2.5A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MPF10N65
工作温度:-55℃~+150℃
功率:107W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:37nC@10V
输入电容:1.11nF@25V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
反向传输电容:13pF@25V
导通电阻:950mΩ@10V,4A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MP5N50
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38W
阈值电压:3.3V@250μA
栅极电荷:26nC@10V
输入电容:657pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
反向传输电容:13pF@25V
导通电阻:1.25Ω@10V,2.5A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MPF10N65
导通电阻:950mΩ@10V,4A
连续漏极电流:10A
功率:107W
类型:1个N沟道
输入电容:1.11nF@25V
漏源电压:650V
阈值电压:4V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
反向传输电容:13pF@25V
栅极电荷:37nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MP5N50
导通电阻:1.25Ω@10V,2.5A
漏源电压:500V
阈值电压:3.3V@250μA
类型:1个N沟道
连续漏极电流:5A
输入电容:657pF@25V
栅极电荷:26nC@10V
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38W
反向传输电容:13pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT4N65D
工作温度:-55℃~+150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:19nC@10V
输入电容:520pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
反向传输电容:13pF@25V
导通电阻:2.41Ω@10V,2A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT4N65C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:19nC@10V
输入电容:520pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
反向传输电容:13pF@25V
导通电阻:2.41Ω@10V,2A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT4N65D
工作温度:-55℃~+150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:19nC@10V
输入电容:520pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
反向传输电容:13pF@25V
导通电阻:2.41Ω@10V,2A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT4N65C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:19nC@10V
输入电容:520pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
反向传输电容:13pF@25V
导通电阻:2.41Ω@10V,2A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT4N65D
工作温度:-55℃~+150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:19nC@10V
输入电容:520pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
反向传输电容:13pF@25V
导通电阻:2.41Ω@10V,2A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT4N65D
工作温度:-55℃~+150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:19nC@10V
输入电容:520pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
反向传输电容:13pF@25V
导通电阻:2.41Ω@10V,2A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT4N65D
工作温度:-55℃~+150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:19nC@10V
输入电容:520pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
反向传输电容:13pF@25V
导通电阻:2.41Ω@10V,2A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT4N65C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:19nC@10V
输入电容:520pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
反向传输电容:13pF@25V
导通电阻:2.41Ω@10V,2A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C466NLT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:38W
阈值电压:2.2V@30μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:997pF@25V
连续漏极电流:52A
类型:2个N沟道
反向传输电容:13pF@25V
导通电阻:6.2mΩ@10V,10A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF830
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38W
阈值电压:3.3V@250μA
栅极电荷:26nC@10V
输入电容:657pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
反向传输电容:13pF@25V
导通电阻:1.25Ω@10V,2.5A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF830
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38W
阈值电压:3.3V@250μA
栅极电荷:26nC@10V
输入电容:657pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
反向传输电容:13pF@25V
导通电阻:1.25Ω@10V,2.5A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF830
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38W
阈值电压:3.3V@250μA
栅极电荷:26nC@10V
输入电容:657pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
反向传输电容:13pF@25V
导通电阻:1.25Ω@10V,2.5A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF830
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38W
阈值电压:3.3V@250μA
栅极电荷:26nC@10V
输入电容:657pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
反向传输电容:13pF@25V
导通电阻:1.25Ω@10V,2.5A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF830
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38W
阈值电压:3.3V@250μA
栅极电荷:26nC@10V
输入电容:657pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
反向传输电容:13pF@25V
导通电阻:1.25Ω@10V,2.5A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存: