品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":860}
销售单位:个
包装规格(MPQ):489psc
规格型号(MPN):FQPF19N10
导通电阻:100mΩ@6.8A,10V
类型:N沟道
栅极电荷:25nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:780pF@25V
连续漏极电流:13.6A
功率:38W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"18+":316}
包装规格(MPQ):111psc
规格型号(MPN):AUIRF1324STRL
导通电阻:1.65mΩ@195A,10V
类型:N沟道
漏源电压:24V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@250µA
功率:300W
输入电容:7590pF@24V
栅极电荷:240nC@10V
ECCN:EAR99
包装方式:散装
连续漏极电流:195A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":30282,"MI+":6000}
销售单位:个
包装规格(MPQ):486psc
规格型号(MPN):PSMN8R5-100ESQ
栅极电荷:111nC@10V
功率:263W
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:100A
输入电容:5512pF@50V
阈值电压:4V@1mA
导通电阻:8.5mΩ@25A,10V
ECCN:EAR99
包装方式:散装
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):VS-FC270SA20
连续漏极电流:287A
导通电阻:4.7mΩ
类型:N-Channel
工作温度:-40℃~150℃
功率:937W
ECCN:EAR99
包装方式:散装
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":1085}
销售单位:个
包装规格(MPQ):268psc
规格型号(MPN):NTP6413ANG
导通电阻:28mΩ@42A,10V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
栅极电荷:51nC@10V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
漏源电压:100V
输入电容:1800pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"17+":11530,"18+":45000,"19+":1860,"MI+":1000}
包装规格(MPQ):304psc
规格型号(MPN):IPP70N04S406AKSA1
导通电阻:6.5mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
阈值电压:4V@26µA
功率:58W
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:2550pF@25V
栅极电荷:32nC@10V
ECCN:EAR99
包装方式:散装
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC017SMA120B4
栅极电荷:249nC@20V
类型:N沟道
连续漏极电流:113A
漏源电压:1200V
输入电容:5280pF@1000V
阈值电压:2.7V@4.5mA
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:22mΩ@40A,20V
ECCN:EAR99
包装方式:散装
功率:455W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"17+":11530,"18+":45000,"19+":1860,"MI+":1000}
包装规格(MPQ):304psc
规格型号(MPN):IPP70N04S406AKSA1
导通电阻:6.5mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
阈值电压:4V@26µA
功率:58W
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:2550pF@25V
栅极电荷:32nC@10V
ECCN:EAR99
包装方式:散装
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD70090E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1950pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC017SMA120J
工作温度:-55℃~175℃
功率:278W
阈值电压:2.7V@4.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:249nC@20V
包装方式:散装
输入电容:5280pF@1000V
连续漏极电流:88A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@40A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"04+":10958,"05+":127926,"06+":234436,"08+":11,"10+":504,"11+":6007,"12+":8548,"13+":363,"15+":117,"MI+":462223}
包装规格(MPQ):692psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8896
工作温度:-55℃~175℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:散装
输入电容:2525pF@15V
连续漏极电流:17A€94A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC017SMA120B4
工作温度:-55℃~175℃
功率:455W
阈值电压:2.7V@4.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:249nC@20V
包装方式:散装
输入电容:5280pF@1000V
连续漏极电流:113A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@40A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":2182,"19+":2484,"21+":970,"22+":4953,"23+":111800,"24+":3119,"MI+":3339}
包装规格(MPQ):434psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S308ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:4V@40µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:散装
输入电容:2350pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":11530,"18+":45000,"19+":1860,"MI+":1000}
包装规格(MPQ):304psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP70N04S406AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:58W
阈值电压:4V@26µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:散装
输入电容:2550pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":30282,"MI+":6000}
包装规格(MPQ):486psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R5-100ESQ
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:散装
输入电容:5512pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":11530,"18+":45000,"19+":1860,"MI+":1000}
包装规格(MPQ):304psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP70N04S406AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:58W
阈值电压:4V@26µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:散装
输入电容:2550pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":11530,"18+":45000,"19+":1860,"MI+":1000}
包装规格(MPQ):304psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP70N04S406AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:58W
阈值电压:4V@26µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:散装
输入电容:2550pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":1085}
包装规格(MPQ):268psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP6413ANG
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@42A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":30282,"MI+":6000}
包装规格(MPQ):486psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R5-100ESQ
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:散装
输入电容:5512pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD70090E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1950pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":316}
包装规格(MPQ):111psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRF1324STRL
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:240nC@10V
包装方式:散装
输入电容:7590pF@24V
连续漏极电流:195A
类型:N沟道
导通电阻:1.65mΩ@195A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD123PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:散装
输入电容:360pF@25V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@780mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD70090E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1950pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD123PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:散装
输入电容:360pF@25V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@780mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):330psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB8896
工作温度:-55℃~175℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:散装
输入电容:2525pF@15V
连续漏极电流:19A€93A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):VS-FC270SA20
工作温度:-40℃~150℃
功率:937W
ECCN:EAR99
包装方式:散装
连续漏极电流:287A
类型:N-Channel
导通电阻:4.7mΩ
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):489psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF19N10
工作温度:-55℃~175℃
功率:38W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:散装
输入电容:780pF@25V
连续漏极电流:13.6A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@6.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):692psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8896
工作温度:-55℃~175℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:散装
输入电容:2525pF@15V
连续漏极电流:17A€94A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1000,"19+":1000}
包装规格(MPQ):489psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF19N10
工作温度:-55℃~175℃
功率:38W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:散装
输入电容:780pF@25V
连续漏极电流:13.6A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@6.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1000,"19+":1000}
包装规格(MPQ):489psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF19N10
工作温度:-55℃~175℃
功率:38W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:散装
输入电容:780pF@25V
连续漏极电流:13.6A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@6.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: