采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011ENX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：散装
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD4N80E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：散装
输入电容：622pF@100V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.27Ω@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：11530，"18+"：45000，"19+"：1860，"MI+"：1000}
包装规格(MPQ)：304psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP70N04S406AKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：4V@26µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：散装
输入电容：2550pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@70A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD4N80E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：散装
输入电容：622pF@100V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.27Ω@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：11530，"18+"：45000，"19+"：1860，"MI+"：1000}
包装规格(MPQ)：304psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP70N04S406AKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
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栅极电荷：32nC@10V
包装方式：散装
输入电容：2550pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@70A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：11530，"18+"：45000，"19+"：1860，"MI+"：1000}
包装规格(MPQ)：304psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP70N04S406AKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：4V@26µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：散装
输入电容：2550pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@70A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：979}
包装规格(MPQ)：198psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3659-AZ
阈值电压：2.5V@1mA
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栅极电荷：32nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1.7nF@10V
连续漏极电流：65A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.7mΩ@40A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD4N80E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：散装
输入电容：622pF@100V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.27Ω@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：1500，"16+"：5150}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R380E6ATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：3.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：散装
输入电容：700pF@100V
连续漏极电流：10.6A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD4N80E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：散装
输入电容：622pF@100V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.27Ω@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：198psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3659-AZ
阈值电压：2.5V@1mA
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包装方式：散装
输入电容：1.7nF@10V
连续漏极电流：65A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.7mΩ@40A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：27200}
包装规格(MPQ)：163psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HAT2172N-EL-E
功率：20W
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栅极电荷：32nC@10V
包装方式：散装
输入电容：2.42nF@10V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.8mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：979}
包装规格(MPQ)：198psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3659-AZ
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：散装
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连续漏极电流：65A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.7mΩ@40A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011ENX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：散装
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：1500，"16+"：5150}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R380E6ATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：散装
输入电容：700pF@100V
连续漏极电流：10.6A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD4N80E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：散装
输入电容：622pF@100V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.27Ω@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：7551}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R380E6BTMA1
工作温度：-55℃~155℃
功率：83W
阈值电压：3.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：散装
输入电容：700pF@100V
连续漏极电流：10.6A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD4N80E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：散装
输入电容：622pF@100V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.27Ω@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011ENX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：散装
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：11530，"18+"：45000，"19+"：1860，"MI+"：1000}
包装规格(MPQ)：304psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP70N04S406AKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
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栅极电荷：32nC@10V
包装方式：散装
输入电容：2550pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@70A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：979}
包装规格(MPQ)：198psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3659-AZ
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1.7nF@10V
连续漏极电流：65A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.7mΩ@40A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：1500，"16+"：5150}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R380E6ATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：3.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：散装
输入电容：700pF@100V
连续漏极电流：10.6A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD4N80E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：散装
输入电容：622pF@100V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.27Ω@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：7551}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R380E6BTMA1
工作温度：-55℃~155℃
功率：83W
阈值电压：3.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：散装
输入电容：700pF@100V
连续漏极电流：10.6A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011ENX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：散装
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD4N80E-GE3
功率：69W
连续漏极电流：4.3A
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：622pF@100V
类型：N沟道
导通电阻：1.27Ω@2A，10V
栅极电荷：32nC@10V
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：800V
ECCN：EAR99
包装方式：散装
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：198psc
生产批次：{"17+"：979}
规格型号(MPN)：2SK3659-AZ
连续漏极电流：65A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.7mΩ@40A，10V
输入电容：1.7nF@10V
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：32nC@10V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装方式：散装
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011ENX
输入电容：670pF@25V
工作温度：150℃
功率：40W
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
栅极电荷：32nC@10V
阈值电压：4V@1mA
漏源电压：600V
包装方式：散装
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：163psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HAT2172N-EL-E
功率：20W
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：散装
输入电容：2.42nF@10V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.8mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"17+"：11530，"18+"：45000，"19+"：1860，"MI+"：1000}
包装规格(MPQ)：304psc
规格型号(MPN)：IPP70N04S406AKSA1
导通电阻：6.5mΩ@70A，10V
漏源电压：40V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
阈值电压：4V@26µA
功率：58W
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：2550pF@25V
栅极电荷：32nC@10V
ECCN：EAR99
包装方式：散装
包装清单：商品主体 * 1
库存：
