品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC035SMA170S
工作温度:-55℃~+175℃
功率:278W
阈值电压:3.25V
ECCN:EAR99
栅极电荷:178nC
包装方式:散装
连续漏极电流:59A
类型:MOSFET
导通电阻:35mΩ
漏源电压:1.7kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB33N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:散装
输入电容:3508pF@100V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@16.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB33N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:散装
输入电容:3508pF@100V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@16.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB33N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:散装
输入电容:3508pF@100V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@16.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB33N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:散装
输入电容:3508pF@100V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@16.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB33N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:散装
输入电容:3508pF@100V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@16.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB33N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:散装
输入电容:3508pF@100V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@16.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB33N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:155nC@10V
包装方式:散装
输入电容:3454pF@100V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:98mΩ@16.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB33N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:155nC@10V
包装方式:散装
输入电容:3454pF@100V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:98mΩ@16.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB33N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:155nC@10V
包装方式:散装
输入电容:3454pF@100V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:98mΩ@16.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC017SMA120J
工作温度:-55℃~175℃
功率:278W
阈值电压:2.7V@4.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:249nC@20V
包装方式:散装
输入电容:5280pF@1000V
连续漏极电流:88A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@40A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB33N60EF-GE3
导通电阻:98mΩ@16.5A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:33A
功率:278W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:155nC@10V
漏源电压:600V
输入电容:3454pF@100V
包装方式:散装
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB33N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:散装
输入电容:3508pF@100V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@16.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB33N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:散装
输入电容:3508pF@100V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@16.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB33N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:155nC@10V
包装方式:散装
输入电容:3454pF@100V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:98mΩ@16.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB33N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:散装
输入电容:3508pF@100V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@16.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC017SMA120J
工作温度:-55℃~175℃
功率:278W
阈值电压:2.7V@4.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:249nC@20V
包装方式:散装
输入电容:5280pF@1000V
连续漏极电流:88A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@40A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB33N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:散装
输入电容:3508pF@100V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@16.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC035SMA170S
工作温度:-55℃~+175℃
功率:278W
阈值电压:3.25V
ECCN:EAR99
栅极电荷:178nC
包装方式:散装
连续漏极电流:59A
类型:MOSFET
导通电阻:35mΩ
漏源电压:1.7kV
包装清单:商品主体 * 1
库存: