采购热线 400-661-9010
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：917psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6612A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.6nC@5V
包装方式：散装
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：8.4A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@8.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：600psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCTWA70N120G2V-4
工作温度：-55℃~200℃
功率：547W
阈值电压：4.9V@1mA
栅极电荷：150nC@18V
包装方式：散装
输入电容：3540pF@800V
连续漏极电流：91A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@50A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：140，"21+"：150，"22+"：352}
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MRFE6VP8600HR5
功率：130V
ECCN：EAR99
包装方式：散装
连续漏极电流：130V
类型：双
漏源电压：130V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：FF600R12ME4AB11BOSA1
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：37nF@25V
集电极截止电流(Ices)：1200V
类型：沟槽型场截止
工作温度：-40℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4310A
工作温度：-55℃~150℃
功率：850mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：900mA
类型：N沟道
导通电阻：500mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"22+"：14460，"MI+"：2500}
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGD3040G2-F085D
ECCN：EAR99
包装方式：散装
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：A3G26D055N-2110
功率：8W
包装方式：散装
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCX700N20
工作温度：150℃
功率：2.23W€40W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：散装
输入电容：6900pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：42.7mΩ@35A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB20N50E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：92nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1640pF@100V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：184mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：150，"18+"：127}
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：A2T21H450W19SR6
功率：89W
ECCN：EAR99
包装方式：散装
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP50020EL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：126nC@10V
包装方式：散装
输入电容：11113pF@30V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：散装
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：47kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：300mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：422}
包装规格(MPQ)：422psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ325-AY
ECCN：EAR99
包装方式：散装
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA120N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：34W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1562pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@12A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD014PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：散装
输入电容：310pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：181psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8260L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：5245pF@30V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：5.8mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP70060E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：散装
输入电容：3330pF@50V
连续漏极电流：131A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：34909}
包装规格(MPQ)：249psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4146-S19-AY
ECCN：EAR99
包装方式：散装
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB15N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：180W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1350pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：10000}
包装规格(MPQ)：114psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：H5N2901LSTL-E
ECCN：EAR99
包装方式：散装
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"4L+"：3000}
包装规格(MPQ)：541psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0395DPA-00#J53
功率：30W
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：散装
输入电容：1.67nF@10V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.7mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：2554，"MI+"：800}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7109-75AIE，118
ECCN：EAR99
包装方式：散装
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4424A
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.8V@1mA
包装方式：散装
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：5.5Ω@500mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4306A
工作温度：-55℃~150℃
功率：850mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：散装
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXBH42N170
ECCN：EAR99
包装方式：散装
集电极脉冲电流(Icm)：300A
反向恢复时间：1.32µs
集电极截止电流(Ices)：1700V
栅极电荷：188nC
集电极电流(Ic)：2.8V@15V，42A
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD120PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：散装
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
导通电阻：270mΩ@780mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6015ANX
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@7.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD70090E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1950pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG312P
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：散装
输入电容：330pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：4psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSM300C12P3E201
工作温度：-40℃~150℃
功率：1360W
阈值电压：5.6V@80mA
包装方式：散装
输入电容：15000pF@10V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
