品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):181psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMD8260L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:5245pF@30V
连续漏极电流:15A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:5.8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX705
集射极击穿电压(Vceo):120V
集电极电流(Ic):1A
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:160MHz
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@2mA,2A
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):3000@1A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX705
集射极击穿电压(Vceo):120V
集电极电流(Ic):1A
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:160MHz
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@2mA,2A
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):3000@1A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD020PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:散装
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@1.4A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX705
集射极击穿电压(Vceo):120V
集电极电流(Ic):1A
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:160MHz
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@2mA,2A
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):3000@1A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD020PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:散装
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@1.4A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD020PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:散装
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@1.4A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX601
集射极击穿电压(Vceo):160V
集电极电流(Ic):1A
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:250MHz
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.2V@10mA,1A
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@500mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):BCX38C
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):800mA
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):100nA
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.25V@8mA,800mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@500mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX601
集射极击穿电压(Vceo):160V
集电极电流(Ic):1A
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:250MHz
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.2V@10mA,1A
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@500mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):BCX38C
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):800mA
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):100nA
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.25V@8mA,800mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@500mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX614
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):800mA
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):100nA
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.25V@8mA,800mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@500mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX614
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):800mA
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):100nA
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.25V@8mA,800mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@500mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX614
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):800mA
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):100nA
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.25V@8mA,800mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@500mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD9210PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.9nC@10V
包装方式:散装
输入电容:170pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:P沟道
导通电阻:3Ω@240mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":54000}
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH3427-TL-E
功率:1W
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4V
包装方式:散装
输入电容:400pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:52mΩ@2A,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD9210PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.9nC@10V
包装方式:散装
输入电容:170pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:P沟道
导通电阻:3Ω@240mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD9210PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.9nC@10V
包装方式:散装
输入电容:170pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:P沟道
导通电阻:3Ω@240mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX705
集射极击穿电压(Vceo):120V
集电极电流(Ic):1A
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:160MHz
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@2mA,2A
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):3000@1A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD9210PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.9nC@10V
包装方式:散装
输入电容:170pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:P沟道
导通电阻:3Ω@240mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD9210PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.9nC@10V
包装方式:散装
输入电容:170pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:P沟道
导通电阻:3Ω@240mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD020PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:散装
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@1.4A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX601B
集射极击穿电压(Vceo):160V
集电极电流(Ic):1A
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:250MHz
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.2V@10mA,1A
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@500mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX614
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):800mA
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):100nA
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.25V@8mA,800mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@500mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX601
集射极击穿电压(Vceo):160V
集电极电流(Ic):1A
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:250MHz
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.2V@10mA,1A
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@500mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX601
集射极击穿电压(Vceo):160V
集电极电流(Ic):1A
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:250MHz
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.2V@10mA,1A
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@500mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":54000}
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH3427-TL-E
功率:1W
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4V
包装方式:散装
输入电容:400pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:52mΩ@2A,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX601
集射极击穿电压(Vceo):160V
集电极电流(Ic):1A
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:250MHz
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.2V@10mA,1A
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@500mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):BCX38C
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):800mA
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):100nA
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.25V@8mA,800mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@500mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存: