销售单位：个

规格型号(MPN)：STD01N

集射极击穿电压(Vceo)：150V

集电极电流(Ic)：10A

功率：100W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@6mA，6A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@6A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MPSA29

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：800mA

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：500nA

特征频率：125MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BD681G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：4A

功率：40W

集电集截止电流(Icbo)：500µA

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@30mA，1.5A

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@1.5A，3V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MPSA29

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：800mA

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：500nA

特征频率：125MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：75psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD122-1

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ZTX603

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：150MHz

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@1mA，1A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@1A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：KSP13BU

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STD01N

集射极击穿电压(Vceo)：150V

集电极电流(Ic)：10A

功率：100W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@6mA，6A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@6A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STD01N

集射极击穿电压(Vceo)：150V

集电极电流(Ic)：10A

功率：100W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@6mA，6A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@6A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ZTX603

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：150MHz

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@1mA，1A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@1A，5V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BD681G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：4A

功率：40W

集电集截止电流(Icbo)：500µA

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@30mA，1.5A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@1.5A，3V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJE270G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：2A

功率：1.5W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

特征频率：6MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@1.2mA，120mA

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1500@120mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"16+"：500，"18+"：2528，"19+"：277}

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N6038G

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：4A

功率：40W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，4A

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@2A，3V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：KSD1692YS

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：3A

功率：1.3W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.2V@1.5mA，1.5A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：4000@1.5A，2V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SD2560

集射极击穿电压(Vceo)：150V

集电极电流(Ic)：15A

功率：130W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

特征频率：70MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@10mA，10A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@10A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SD2560

集射极击穿电压(Vceo)：150V

集电极电流(Ic)：15A

功率：130W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

特征频率：70MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@10mA，10A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@10A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ZTX614

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：800mA

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.25V@8mA，800mA

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@500mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BD681G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：4A

功率：40W

集电集截止电流(Icbo)：500µA

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@30mA，1.5A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@1.5A，3V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：KSP13BU

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ZTX601

集射极击穿电压(Vceo)：160V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：250MHz

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.2V@10mA，1A

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SD2560

集射极击穿电压(Vceo)：150V

集电极电流(Ic)：15A

功率：130W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

特征频率：70MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@10mA，10A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@10A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ZTX601

集射极击穿电压(Vceo)：160V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：250MHz

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.2V@10mA，1A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MPSA29

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：800mA

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：500nA

特征频率：125MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MPSA29

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：800mA

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：500nA

特征频率：125MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SD2560

集射极击穿电压(Vceo)：150V

集电极电流(Ic)：15A

功率：130W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

特征频率：70MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@10mA，10A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@10A，4V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：1000，"22+"：8550}

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N6038G

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：4A

功率：40W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，4A

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@2A，3V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"16+"：500，"18+"：2528，"19+"：277}

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N6038G

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：4A

功率：40W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，4A

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@2A，3V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BD681G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：4A

功率：40W

集电集截止电流(Icbo)：500µA

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@30mA，1.5A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@1.5A，3V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SD2016

集射极击穿电压(Vceo)：200V

集电极电流(Ic)：3A

功率：25W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：90MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@1.5mA，1A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：75psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD122-1

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1