销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：散装

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：47kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：300mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：KSP13BU

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ZTX614

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：800mA

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.25V@8mA，800mA

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@500mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：KSP13BU

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ZTX614

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：800mA

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.25V@8mA，800mA

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@500mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCX38C

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：800mA

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.25V@8mA，800mA

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@500mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：KSP13BU

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCX38C

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：800mA

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.25V@8mA，800mA

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@500mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ZTX614

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：800mA

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.25V@8mA，800mA

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@500mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ZTX614

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：800mA

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.25V@8mA，800mA

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@500mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ZTX614

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：800mA

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.25V@8mA，800mA

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@500mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：KSP13BU

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：散装

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：200MHz

功率：200mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：KSP13BU

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：KSP13BU

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：KSP13BU

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ZTX614

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：800mA

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.25V@8mA，800mA

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@500mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：散装

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：200MHz

功率：300mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"06+"：6000，"07+"：15000，"09+"：14950，"11+"：462，"16+"：57000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：散装

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：200MHz

功率：200mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：KSP13BU

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：KSP13BU

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ZTX614

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：800mA

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.25V@8mA，800mA

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@500mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ZTX614

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：800mA

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.25V@8mA，800mA

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@500mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCX38C

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：800mA

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.25V@8mA，800mA

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@500mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ZTX614

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：800mA

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.25V@8mA，800mA

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@500mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCX38C

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：800mA

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.25V@8mA，800mA

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@500mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCX38C

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：800mA

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.25V@8mA，800mA

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@500mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCX38C

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：800mA

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.25V@8mA，800mA

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@500mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：KSP13BU

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：KSP13BU

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1