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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD020PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：散装
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.4A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD020PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：散装
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.4A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD020PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：散装
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.4A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD020PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：散装
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.4A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：2000}
包装规格(MPQ)：506psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQA0008RXDQS#H1
功率：10W
阈值电压：800mV@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：44pF@0V
连续漏极电流：2.4A
类型：1个N沟道
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：2000}
包装规格(MPQ)：506psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQA0008RXDQS#H1
功率：10W
阈值电压：800mV@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：44pF@0V
连续漏极电流：2.4A
类型：1个N沟道
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD020PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：散装
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.4A，10V
漏源电压：50V
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库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD020PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：散装
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.4A，10V
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库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD020PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：散装
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD020PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
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包装方式：散装
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD020PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
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包装方式：散装
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD020PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：散装
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类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.4A，10V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD020PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
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包装方式：散装
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IRFD020PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
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导通电阻：100mΩ@1.4A，10V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD020PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：散装
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.4A，10V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD020PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：散装
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.4A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD020PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：散装
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.4A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD020PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：散装
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.4A，10V
漏源电压：50V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD020PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：散装
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.4A，10V
漏源电压：50V
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库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：2000}
包装规格(MPQ)：506psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQA0008RXDQS#H1
功率：10W
阈值电压：800mV@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：44pF@0V
连续漏极电流：2.4A
类型：1个N沟道
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD020PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：散装
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.4A，10V
漏源电压：50V
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